1200V MOS管KIA10N120V1、KIA20N120V1碳化硅場效應(yīng)管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-07-26
參數(shù)： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
參數(shù)： ID(A): 20 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
充電樁-碳化硅MOS管產(chǎn)品特點
1、高頻特性 高溫特性 高壓特性
2、碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍
3、碳化硅肖特基管耐壓可達2400V
4、碳化硅場效應(yīng)管耐壓可達數(shù)萬伏，且通態(tài)電阻小
充電樁-碳化硅MOS管型號
在這里沒有完全列出在充電樁中所用到的MOS管型號、參數(shù)及封裝，詳細了解其他型號請致電KIA半導體。
Part Numbe
IF（A）
VRM（V）
VF@IF（V）25℃
Package
KIA08065V1
8
650
1.8
TO-220F-2
TO-220-2
TO-247-2
KIA10065V1
10
650
1.8
KIA15170V1
15
1700
2
KIA20065V1
20
650
1.8
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（V） |
Package |
|
KIA10N120V1 |
10 |
1200 |
TO-220F TO-220 TO-3P TO-247 |
|
KIA20N120V1 |
20 |
1200 |
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