元器件為什么會(huì )出現失效模式，這里有三種原因要告訴大家
信息來(lái)源：本站 日期：2017-09-08
表14.2列出三種失效形式：
①開(kāi)路失效.
②漏電流／短路失效.
③特性劣化失效在器件制造中產(chǎn)生緣由.
實(shí)踐上要用電學(xué)實(shí)驗的方法將器件的失效形式別離開(kāi)是艱難的.
即便①和②可以別離，①與③，②與③通常是同時(shí)發(fā)生的.
外來(lái)因素引起的失效
器件置于超越額定值*規定的運用環(huán)境時(shí)，會(huì )招致劣化、損傷。外來(lái)要素能夠羅列如下：
(1)組裝到基板上時(shí)：用戶(hù)的檢查環(huán)境、保管環(huán)境、靜電(ESD：electrostatic dis-charge)、基板裝置時(shí)器件的固定、裝置溫度、清潔劑成分等。
(2)裝置完成后所加的電壓?電流：ESD，插件板實(shí)驗，電源動(dòng)搖，噪聲，信號的反射?耦合，電容成分的充放電，左近電感成分惹起的電動(dòng)勢等。
外來(lái)因素惹起CMOS器件的失效，主要是由過(guò)電壓或過(guò)電流（浪涌電壓?電流）惹起的。典型的現象是ESD(Electro Static Discharge，靜電放電)）和Latch-up（閂鎖）。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(cháng)按二維碼識別關(guān)注
