?共射、共基放大電路頻率特性差異原因分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-07-24
考慮到三極管的極間寄生電容和電阻，可將三極管的模型化作圖所示的電路。
圖 考慮到寄生電容和電阻的三級(jí)管
共射放大電路上限頻率低的根本原因
圖 考慮寄生效應(yīng)的共射放大電路
根據(jù)上圖所示，三極管的輸入電容 Ci 與基極寄生電阻 rb 形成低通濾波器，其中，輸入電容 Ci 是(1 + Av)倍的 Cbc 和 Cbe 之和。因此，在高頻范圍，共射放大電路的放大倍數(shù)必然下降。
也可以根據(jù)前文電路中采用的三極管的寄生參數(shù)，簡(jiǎn)單計(jì)算共射放大電路的上限截止頻率。例如，2N3904 的寄生電容為下圖所示。
圖 2N3904 的寄生電容
再根據(jù)低通濾波器的截止頻率公式 fc = 1/(2πRC) ≈ 2.5MHz，其中，R 值在 2N3904 中并未找到，暫取 200 歐姆。可以看出，粗略計(jì)算的結(jié)果與上述仿真的結(jié)果基本相符。
因此，共射極放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)下降，是由晶體管極間電容和分布電容導(dǎo)致的。
同樣，來分析一下共基放大電路上限截止頻率高的根本原因。
共基放大電路上限頻率高的根本原因
和共射放大電路一樣，仍可將三極管的模型化作圖所示的電路。
圖 考慮寄生效應(yīng)的共基放大電路
理論上，三極管的輸入電容 Ci 與射級(jí)電阻 RE 形成低通濾波器，其中，輸入電容 Ci 是(Av – 1)倍的 Cce 和 Cbe 之和。
實(shí)際上，由于共基放大電路的輸入電阻極小（不考慮 RE 時(shí)，射級(jí)等效于交流接地），遠(yuǎn)小于輸入電容 Ci 的交流阻抗。所以，在一定頻率內(nèi)，即使三極管的輸入電容 Ci 與射級(jí)電阻 RE 形成低通濾波器，也不會(huì)對(duì)輸入信號(hào)產(chǎn)生影響。
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