【電子電路】防反接保護(hù)電路分類-KIA MOS管

防反接保護(hù)是電子電路常要考慮的安全之一，防反接可以根據(jù)芯片的特性或者整個(gè)電路的特性分別考慮，本文重點(diǎn)說(shuō)明一下幾種基于芯片的防反接電路，當(dāng)然，可以根據(jù)防反接的原理應(yīng)用到其他電路中。

HSD 分類

Monolithic HSD：芯片內(nèi)部不帶防反接保護(hù)電路，該器件的導(dǎo)通電阻在 10mΩ以上；

Hybrid HSD：芯片內(nèi)部自帶防反接保護(hù)電路，該器件的導(dǎo)通電阻在 10mΩ以下。

防反接保護(hù)電路

對(duì)于 Monolithic HSD 器件而言，防反接電路在 GND 端時(shí)，電源接反時(shí)，電流仍可以通過(guò)圖中紅色線條的路徑，負(fù)載正常工作，如圖 1 所示。

在器件內(nèi)部，電流則是通過(guò)功率 MOSFET 管的體二極管，而該電流的大小則是由負(fù)載的決定的。因此，需要考慮一個(gè)問(wèn)題：功率 MOSFET 所吸收的功率，P = 0.7*Ir。需要考慮該功率 MOSFET 是否能吸收這些能量。

而對(duì)于 Hybrid HSD 而言，不需要外部防反接電路，而且，當(dāng)電源反接時(shí)，功率 MOSFET 仍是導(dǎo)通狀態(tài)，也就是說(shuō)，電流是通過(guò)功率 MOSFET，而不是體二極管，因此，就不必考慮功率 MOSFET 吸收能量的問(wèn)題。

但是，如果外部添加了二極管之類的防反接保護(hù)電路，功率 MOSEFET 則不再導(dǎo)通，也就不具備該功能了。

防反接保護(hù)電路分類

大致可以根據(jù)防反接保護(hù)器件分為電阻，二極管，電阻||二極管，NMOS 和 PMOS 幾種類型，而根據(jù)防反接保護(hù)電路的位置，又可以分為 VCC 端和 GND 端。

具體分類見(jiàn)下面表格。

防反接保護(hù)電路