cmos在電路中容易形成集成化 它是有什么特點(diǎn) 是否會(huì )受到影響
信息來(lái)源：本站 日期：2017-09-05
容易集成化
TTL等雙極器件中，如圖10. 15所示，相鄰的晶體管之間需求隔離，而且要提高電流驅動(dòng)型器件的集成度，就很難抑止功率耗費和發(fā)熱現象。
CMOS中，由于閂鎖現象／可控硅現象的緣由，需求思索設置恰當的別離寄生雙極晶體管的稱(chēng)為防護帶（圖10. 16）的別離墻／過(guò)渡電流吸收帶。不過(guò)對集成度的影響不大。最近，還開(kāi)發(fā)出不需求防護帶的制造技術(shù)。而且，由于CMOS的低功耗特性，在發(fā)熱問(wèn)題上比雙極器件優(yōu)越，也有利于集成化。
把單位面積(mm2)上集成的晶體管數目叫做集成度。目前集成度超越了1000萬(wàn)個(gè)MOS晶體管的系統LSI曾經(jīng)在數字設備中采用。
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