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電路知識(shí):非門多諧振蕩器電路-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2023-04-26 

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電路知識(shí):非門多諧振蕩器電路-KIA MOS管


兩個(gè)非門組成的振蕩器

非門 多諧 振蕩器

振蕩原理:

假設(shè)Q為低電平,則非門2的輸入端為高電平,經(jīng)過R對(duì)C充電,C的電壓上升,直到非門1輸入端的電壓達(dá)到反轉(zhuǎn)電壓,此時(shí)非門1的輸出變?yōu)榈碗娖剑琎變?yōu)楦唠娖健?/span>


此時(shí),Q點(diǎn)、C、R、非門2的輸入端,極性反轉(zhuǎn),相對(duì)于之前變?yōu)榉烹娀芈罚缓筠D(zhuǎn)為反向充電,C的電壓下降,直到非門1輸入的電壓達(dá)到反轉(zhuǎn)電壓,此時(shí)非門1的輸出變?yōu)楦唠娖剑琎變?yōu)榈碗娖健?/span>


如此循環(huán),形成振蕩,在Q端輸出方波。

如果非門的反轉(zhuǎn)電壓為電源電壓的1/2。

則振蕩周期:T≈2.2·R·C

Rs用于穩(wěn)定振蕩頻率,驅(qū)使為6~10倍的R。


三個(gè)非門組成的振蕩器

非門 多諧 振蕩器

原理和兩個(gè)非門的差不多,但是相比起兩個(gè)非門的振動(dòng)器更容易起振,工作更穩(wěn)定,還能獲得更高的振蕩頻率。


三個(gè)非門組成的可變占空比振蕩器

非門 多諧 振蕩器


通過滑動(dòng)電位器RP使占空比可調(diào)。

充電回路(RP2+R)·C

放電回路(RP1+R)·C


另外,用施密特觸發(fā)器組成的多諧振蕩器比用一般門電路組成的,更簡(jiǎn)單,頻率更寬,受到電源電源和溫度的影響更小。



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