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應(yīng)用領(lǐng)域

MOS管柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)優(yōu)化圖文分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-04-13 

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MOS管柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)優(yōu)化圖文分析-KIA MOS管


在大多數(shù)的開關(guān)功率應(yīng)用電路中,當(dāng)柵極被驅(qū)動(dòng),開關(guān)導(dǎo)通時(shí)漏極電流上升的速度是漏極電壓下降速度的幾倍,這將造成功率損耗增加。


為了解決問題可以增加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電流,但增加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)上升斜率又將帶來過沖、振蕩、EMI等問題。


優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),正是在互相矛盾的要求中尋求一個(gè)平衡點(diǎn),而這個(gè)平衡點(diǎn)就是開關(guān)導(dǎo)通時(shí)漏極電流上升的速度和漏極電壓下降速度相等這樣一種波形,理想的驅(qū)動(dòng)波形如圖6所示。


圖6的UGS波形包括了這樣幾部分:UGS第一段是快速上升到門限電壓;UGS第二段是比較緩的上升速度以減慢漏極電流的上升速度,但此時(shí)的UGS也必須滿足所需的漏極電流值;UGS第四段快速上升使漏極電壓快速下降;UGS第五段是充電到最后的值。


當(dāng)然,要得到完全一樣的驅(qū)動(dòng)波形是很困難的,但是可以得到一個(gè)大概的驅(qū)動(dòng)電流波形,其上升時(shí)間等于理想的漏極電壓下降時(shí)間或漏極電流上升的時(shí)間,并且具有足夠的尖峰值來充電開關(guān)期間的較大等效電容。該柵極尖峰電流IP的計(jì)算是:電荷必須完全滿足開關(guān)時(shí)期的寄生電容所需。

MOS管 柵極驅(qū)動(dòng)


應(yīng)用實(shí)例

48V50A電路中采用雙晶體管正激式變換電路,其開關(guān)管采用IXFH24N50,其參數(shù)為:

MOS管 柵極驅(qū)動(dòng)

根據(jù)如前所述,驅(qū)動(dòng)電壓、電流的理想波形不應(yīng)該是一條直線,而應(yīng)該是如圖6所示的波形。實(shí)驗(yàn)波形見圖7。

MOS管 柵極驅(qū)動(dòng)



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