MOSFET的寄生電容 靜電容量分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-04-06
MOSFET的靜電容量
在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在DS(漏極、源極)間形成PN接合，成為內(nèi)置二極管構(gòu)造。
其中，Cgs、Cgd的容量根據(jù)氧化膜的靜電容量決定，Cds根據(jù)內(nèi)置二極管的接合容量決定。
一般而言，寄生電容與漏極、源極間電壓VDS存在一定關(guān)系，VDS增加，則寄生容量值減小。在廠家發(fā)布的MOSFET規(guī)格書上，一般都提供Ciss/Coss/Crss三類容量特性：
容量特性如圖2所示，對DS (漏極、源極) 間電壓VDS存在依賴性。VDS大則容量值小。
圖2: 容量 - VDS 依存性
溫度特性
實測例見圖(1) ~ (3)所示
關(guān)于容量特性的溫度依存性幾乎沒有差異。
圖3: 容量溫度特性
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