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cmos低電壓下工作、CMOS規范邏輯IC的工作電源電壓范圍

信息來(lái)源:本站 日期:2017-08-25 

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能夠在低電壓下工作/工作電壓范圍寬

圖]0.11示出典型的CMOS規范邏輯IC的工作電源電壓范圍。與雙極型TTL(Transistor Transistor Logic)的5v土o. zsv相比,工作電壓范圍寬。這是因為CMOS器件的構造設計是p溝MOS與n溝MOS對稱(chēng)的/互補的,即便電源電壓變化,電路閾值總是在電壓的1/2左近。而且,即便電壓降低,電壓驅動(dòng)型的CMOS電路的輸出電壓連續取出電源或者GND電平。就是說(shuō),在邏輯電路的前級-后級,能夠牢靠地傳送邏輯信號。
mos管

TTL中,如圖10. 12所示,傳輸信號的輸入閾值電壓VT由基極—發(fā)射極間的正向電壓決議,這個(gè)值不怎樣隨電源電壓變化。但是,這個(gè)輸入信號電平由流過(guò)前級晶體管的集電極—發(fā)射極問(wèn)的電流產(chǎn)生的電壓降來(lái)決議。由于這個(gè)電流受電源電;壓的影響大,所以前級晶體管的輸出信號電平與后級晶體管的閾值電壓會(huì )呈現差距,導致無(wú)法工作。
mos管

普通來(lái)說(shuō)MOS器件的閾值電壓大約是0.6V,所以作為CMOS器件肯定“H”與“L”的工作的界限能夠設定為0.6+o.6=1. 2V。這里是指無(wú)負載狀態(tài)(電流開(kāi)始活動(dòng)的狀態(tài))CMOS器件的工作界線(xiàn)點(diǎn),由于負載條件的變化,這個(gè)界限點(diǎn)會(huì )有挪動(dòng)。