技術(shù)分享：兩種基本電流檢測電路-KIA MOS管

使用電流檢測電阻采樣電流，是測量電流的首選技術(shù)。測量電流的最簡單方法是使用分流電阻器（最左側(cè)），通過該電阻器產(chǎn)生的電壓與流過它的電流成正比。運(yùn)放會(huì)放大分流電阻器上的低電壓，以便使采集到的電壓在 ADC 的整個(gè)測量范圍。電流檢測電路一般有兩種拓?fù)?/span>，分別是高側(cè)法和低側(cè)法。

電流檢測電路

電流檢測電阻采樣電流

低側(cè)法

低側(cè)電流測量將電流分流電阻置于負(fù)載和地之間。

電流檢測電路

低側(cè)法

低側(cè)電流測量易于實(shí)施，因?yàn)殡娏鞣至麟娮杵魃系臋z測電壓以地為參考。在這種配置中，檢測電壓不會(huì)依賴于更高的電壓，因此不需要共模抑制。低邊測量方法是最簡單、成本最低的方法。

低壓側(cè)電流測量的缺點(diǎn)是由于放置了分流電阻器，負(fù)載不再以地為參考，導(dǎo)致負(fù)載的低壓側(cè)比地高幾毫伏。如果負(fù)載和地之間存在短路，則沒有接地參考可能會(huì)成為問題。

例如，如果金屬封閉負(fù)載（例如電機(jī)）的繞組對(duì)其接地參考情況下短路，則可能發(fā)生這種短路。電流檢測電阻可能無法檢測到這種短路。

高側(cè)法

高壓側(cè)電流測量在電源和有源負(fù)載之間插入分流電阻器：

電流檢測電路

高側(cè)法

與低側(cè)測量相比，高側(cè)電流測量有兩個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢。首先，很容易檢測到源自負(fù)載內(nèi)部對(duì)地的短路，因?yàn)橛纱水a(chǎn)生的短路電流將流過分流電阻器，在其兩端產(chǎn)生電壓。其次，這種測量技術(shù)不是以地為參考的，因此流經(jīng)地平面的高電流產(chǎn)生的差分地電壓不會(huì)影響測量。

高側(cè)電流測量技術(shù)有一個(gè)主要缺點(diǎn)。它要求電流檢測放大器具有高共模抑制，因?yàn)樵诜至髌鲀啥水a(chǎn)生的小電壓剛好低于負(fù)載電源電壓。

電流檢測放大器將分流電阻器上產(chǎn)生的低電壓轉(zhuǎn)換為與 ADC 轉(zhuǎn)換更兼容的更大電壓。有兩種可能的電流檢測測量類型：低側(cè)和高側(cè)。低邊測量在負(fù)載和地之間插入電流檢測電阻，而高邊測量在電源和負(fù)載之間插入電流檢測電阻。低側(cè)和高側(cè)測量配置各有優(yōu)缺點(diǎn)，因此選擇需要針對(duì)給定應(yīng)用進(jìn)行一些思考和考慮。

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