【MOS管應(yīng)用】原邊振鈴控制分享-KIA MOS管

反激電源是最常用的拓?fù)渲弧Ｆ渥儔浩髀└谐鹪呎疋彛?dǎo)致會損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計來控制振鈴非常重要。

RCD 鉗位電路設(shè)計

在反激電路中，一旦 MOSFET 管關(guān)斷，變壓器就會將原邊的能量傳輸到副邊，但漏感能量卻無法被轉(zhuǎn)移，這會導(dǎo)致電路中的雜散電容產(chǎn)生振鈴。漏感是產(chǎn)生振鈴的根本原因，它占總電感量的 1% 至 5%，但卻無法完全消除。不過，我們可以通過特殊的繞線方法來降低漏感。

圖 1 顯示的三明治繞線法（夾心繞線法）是降低漏感的一種傳統(tǒng)方法。與制作三明治的過程類似，原邊繞組（NP）被一分為二，然后將副邊繞組（NS）依次纏繞在一半的NP、輔助繞組和剩下的一半NP上。

原邊振鈴 MOSFET RCD

圖2顯示了MOSFET關(guān)斷后的逆變電路，此時MOSFET兩端的電壓由三部分組成：最大輸入電壓（VINMAX）、副邊折射電壓（VOR = n x VO）和振鈴產(chǎn)生的峰值電壓（VSPIKE）。

在輸入輸出電壓、匝數(shù)比（n）和MOSFET選定的情況下，應(yīng)盡可能抑制VSPIKE，以確保MOSFET工作在應(yīng)力范圍之內(nèi)。工程師通常會選擇 RCD 鉗位電路來抑制振鈴，因為它設(shè)計簡單、成本低廉并且能夠有效抑制電壓尖峰。

原邊振鈴 MOSFET RCD

正確選擇 RCD 鉗位電路至關(guān)重要，因為不理想的電阻和電容值會增加 MOSFET 的應(yīng)力或電路功耗。

圖 3 顯示出，當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時，能量存儲在勵磁電感 (LM) 和漏電感 (LS) 中；當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時，LM 中的能量被轉(zhuǎn)移到副邊，但漏感能量不會轉(zhuǎn)移。漏感會被釋放以導(dǎo)通D1，并為 C1充電。一旦充電電壓達(dá)到 VCLAMP，則D1 關(guān)斷，C1 通過R1放電。

原邊振鈴 MOSFET RCD