STW21N150 1500V 14A超結MOSFET電源應用-KIA MOS管

STW21N150描述

這種非常高電壓的N溝道功率MOSFET是使用MDmesh設計的? K5技術基于創(chuàng)新的專有垂直結構。其結果是，對于需要高功率密度和高效率的應用，導通電阻和超低柵極電荷顯著降低。

STW21N150特征

行業(yè)最低RDS（on）x面積

行業(yè)最佳品質因數（FoM）

超低柵極電荷

100%雪崩測試

齊納保護

STW21N150 1500V MOSFET

STW21N150兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。

STW21N150 1500V 14A超結MOSFET瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自動化等工業(yè)自動化應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超結MOSFET技術的出色動態(tài)開關性能使其成為工業(yè)應用的最佳選擇。

單位面積同態(tài)電阻（Rds(on)）和柵電荷量（Qg）均創(chuàng)市場最低，并擁有業(yè)界最佳的FoM（質量因數）。是時下主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振（quasi-resonant）有源鉗位反激式轉換器以及LLC 半橋式轉換器，均需要寬輸入電壓、高能效（高達96%）以及輸出功率近200W的電源。其最大漏源電流達到14A，通態(tài)電阻僅為0.9Ω；采用TO-247封裝。