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LDO電容的選擇圖文分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-02-07 

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LDO電容的選擇圖文分析-KIA MOS管


為了讓 LDO 正常工作,需要配備輸出電容器。將 LDO 用于實際應(yīng)用時,如何選擇適當(dāng)?shù)妮敵鲭娙萜魇且粋€常見的問題。因此,讓我們來探討一下選擇輸出電容器時需要考慮的各種事項及其對 LDO 的影響。


電容器是用于儲存電荷的器件,其中包含一對或多對由絕緣體分隔的導(dǎo)體。電容器通常由鋁、鉭或陶瓷等材料制成。各種材料的電容器在系統(tǒng)中使用時具有各自的優(yōu)缺點。陶瓷電容器通常是理想的選擇,因為其電容變化最小,而且成本較低。


什么是電容?

電容器是用于儲存電荷的器件,而電容是指儲存電荷的能力。在理想情況下,電容器上標(biāo)注的值應(yīng)與其提供的電容量完全相同。但我們并未處于理想情況下,不能只看電容器上標(biāo)注的值。稍后您將發(fā)現(xiàn)電容器的電容可能只有其額定值的10%。這可能是由于直流電壓偏置降額、溫度變化降額或制造商容差造成的。


直流電壓降額

考慮到電容器的動態(tài)特性(以非線性方式存儲和耗散電荷),有些極化現(xiàn)象在不施加外部電場的情況下也可能會出現(xiàn);這就是所謂的“自發(fā)極化”。


自發(fā)極化是由材料的不活躍電場引起的,不活躍電場為電容器提供初始電容。對電容器施加外部直流電壓會生成電場,生成的電場會反轉(zhuǎn)初始極化,然后將剩余的有源偶極子“鎖定”或極化到位。極化與電介質(zhì)內(nèi)電場的方向有關(guān)。


如圖1所示,鎖定的偶極子不會對交流電壓瞬變作出反應(yīng);因此,有效電容低于施加直流電壓前的值。


LDO 電容


圖2顯示了對電容器施加電壓所產(chǎn)生的影響以及產(chǎn)生的電容。請注意,外殼尺寸較大時損失的電容較小;這是因為外殼尺寸越大,導(dǎo)體之間存在的電介質(zhì)越多,而這會降低電場強度并減少鎖定的偶極子數(shù)。


LDO 電容


溫度降額

與所有電子器件類似,電容器的額定溫度高于其額定性能對應(yīng)的溫度。這種溫度降額通常會使電容器的電容低于電容器上標(biāo)注的數(shù)值。表2為電容器溫度系數(shù)額定值解碼表。


LDO 電容


大多數(shù) LDO 結(jié)溫范圍通常為 -40°C 到 125°C。根據(jù)此溫度范圍,X5R 或 X7R 電容器是理想選擇。


如圖 3 所示,溫度對電容的影響遠(yuǎn)小于直流偏置降額所產(chǎn)生的影響,直流偏置降額可使電容值降低 90%。


LDO 電容


實際應(yīng)用

常見的 LDO 應(yīng)用可能是從 3.6V 電池獲得輸入電壓,然后將其降低,為微控制器 (1.8V) 供電。在本例中,我們使用 10μF X7R 陶瓷電容器,0603 封裝。0603 封裝是指電容器的尺寸:0.06in x 0.03in。


我們來確定一下此應(yīng)用中上述電容器的實際電容值:

a、直流偏置降額:從制造商提供的電容器直流偏置特性圖表(圖2)可以看出,直流偏置電壓為 1.8V 時,電容值為 7μF。


b、溫度降額:基于 X7R 編碼,如果在 125°C 的環(huán)境溫度下應(yīng)用此電容器,電容值會另外下降 15%,此時的新電容值為 5.5μF。


c、 制造商容差:考慮到 ±20% 的制造商容差,最終的電容值為3.5μF。


可以看出,在上述條件下應(yīng)用電容器時,10μF 電容器的實際電容值為 3.5μF。電容值已降低至標(biāo)稱值的 65% 左右。顯然,上述所有條件并非對任何應(yīng)用都適用,但務(wù)必要了解將電容器用于實際應(yīng)用時電容值的范圍。


盡管 LDO 和電容器乍看起來似乎很簡單,但還有其他因素決定著 LDO 正常工作所需的有效電容。



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