開(kāi)關(guān)電源中的MOS管

今天我們在來(lái)一同學(xué)習下開(kāi)關(guān)電源上面要怎樣選擇MOS管吧，看下開(kāi)關(guān)電源上面選用MOS管應留意那些東西，哪些參數是MOS管在開(kāi)關(guān)電源中起著(zhù)決議性作用的，請往下看。
如今讓我們思索開(kāi)關(guān)電源應用，以及這種應用如何需求從一個(gè)不同的角度來(lái)審視數據手冊。從定義上而言，這種應用需求MOS管定期導通和關(guān)斷。同時(shí)，有數十種拓撲可用于開(kāi)關(guān)電源，這里思索一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的根本降壓轉換器依賴(lài)兩個(gè)MOS管來(lái)執行開(kāi)關(guān)功用(圖2)，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。目前，設計人員常常選擇數百kHz乃至1 MHz以上的頻率，由于頻率越高，磁性元件能夠更小更輕。

開(kāi)關(guān)電源上的MOS管選擇辦法圖2：用于開(kāi)關(guān)電源應用的MOS管對。(DC-DC控制器)顯然，電源設計相當復雜，而且也沒(méi)有一個(gè)簡(jiǎn)單的公式可用于MOS管的評價(jià)。但我們無(wú)妨思索一些關(guān)鍵的參數，以及這些參數為什么至關(guān)重要。傳統上，許多電源設計人員都采用一個(gè)綜合質(zhì)量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))來(lái)評價(jià)MOS管或對之停止等級劃分。

柵極電荷和導通阻抗之所以重要，是由于二者都對電源的效率有直接的影響。對效率有影響的損耗主要分為兩種方式--傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

柵極電荷是產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗的主要緣由。柵極電荷單位為納庫侖(nc)，是MOS管柵極充電放電所需的能量。柵極電荷和導通阻抗RDS(ON) 在半導體設計和制造工藝中互相關(guān)聯(lián)，普通來(lái)說(shuō)，器件的柵極電荷值較低，其導通阻抗參數就稍高。開(kāi)關(guān)電源中第二重要的MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

某些特殊的拓撲也會(huì )改動(dòng)不同MOS管參數的相關(guān)質(zhì)量，例如，能夠把傳統的同步降壓轉換器與諧振轉換器做比擬。諧振轉換器只在VDS (漏源電壓)或ID (漏極電流)過(guò)零時(shí)才停止MOS管開(kāi)關(guān)，從而可把開(kāi)關(guān)損耗降至最低。這些技術(shù)被成為軟開(kāi)關(guān)或零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)技術(shù)。由于開(kāi)關(guān)損耗被最小化，RDS(ON) 在這類(lèi)拓撲中顯得愈加重要。

低輸出電容(COSS)值對這兩類(lèi)轉換器都大有益處。諧振轉換器中的諧振電路主要由變壓器的漏電感與COSS決議。

此外，在兩個(gè)MOS管關(guān)斷的死區時(shí)間內，諧振電路必需讓COSS完整放電。低輸出電容也有利于傳統的降壓轉換器(有時(shí)又稱(chēng)為硬開(kāi)關(guān)轉換器)，不過(guò)緣由不同。由于每個(gè)硬開(kāi)關(guān)周期存儲在輸出電容中的能量會(huì )喪失，反之在諧振轉換器中能量重復循環(huán)。因而，低輸出電容關(guān)于同步降壓調理器的低邊開(kāi)關(guān)特別重要。

開(kāi)關(guān)電源上的MOS管選擇辦法

MOS管最常見(jiàn)的應用可能是電源中的開(kāi)關(guān)元件，此外，它們對電源輸出也大有裨益。效勞器和通訊設備等應用普通都配置有多個(gè)并行電源，以支持N+1 冗余與持續工作 (圖1)。各并行電源均勻分擔負載，確保系統即便在一個(gè)電源呈現毛病的狀況下依然可以繼續工作。不過(guò)，這種架構還需求一種辦法把并行電源的輸出銜接在一同，并保證某個(gè)電源的毛病不會(huì )影響到其它的電源。在每個(gè)電源的輸出端，有一個(gè)功率MOS管能夠讓眾電源分擔負載，同時(shí)各電源又彼此隔離 。起這種作用的MOS管被稱(chēng)為"ORing"FET，由于它們實(shí)質(zhì)上是以 "OR" 邏輯來(lái)銜接多個(gè)電源的輸出。

開(kāi)關(guān)電源上的MOS管選擇辦法圖1：用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing FET應用中，MOS管的作用是開(kāi)關(guān)器件，但是由于效勞器類(lèi)應用中電源不連續工作，這個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)踐上一直處于導通狀態(tài)。其開(kāi)關(guān)功用只發(fā)揮在啟動(dòng)和關(guān)斷，以及電源呈現缺點(diǎn)之時(shí) 。

相比從事以開(kāi)關(guān)為中心應用的設計人員，ORing FET應用設計人員顯然必需關(guān)注MOS管的不同特性。以效勞器為例，在正常工作期間，MOS管只相當于一個(gè)導體。因而，ORing FET應用設計人員最關(guān)懷的是最小傳導損耗。

低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小

普通而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 參數來(lái)定義導通阻抗;對ORing FET應用來(lái)說(shuō)，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON) 與柵極 (或驅動(dòng)) 電壓 VGS 以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān)，但關(guān)于充沛的柵極驅動(dòng)，RDS(ON) 是一個(gè)相對靜態(tài)參數。

若設計人員試圖開(kāi)發(fā)尺寸最小、本錢(qián)最低的電源，低導通阻抗更是加倍的重要。在電源設計中，每個(gè)電源常常需求多個(gè)ORing MOS管并行工作，需求多個(gè)器件來(lái)把電傳播送給負載。在許多狀況下，設計人員必需并聯(lián)MOS管，以有效降低RDS(ON)。

需謹記，在 DC 電路中，并聯(lián)電阻性負載的等效阻抗小于每個(gè)負載單獨的阻抗值。比方，兩個(gè)并聯(lián)的2Ω 電阻相當于一個(gè)1Ω的電阻 。因而，普通來(lái)說(shuō)，一個(gè)低RDS(ON) 值的MOS管，具備大額定電流，就能夠讓設計人員把電源中所用MOS管的數目減至最少。

除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數也對電源設計人員十分重要。許多狀況下，設計人員應該親密關(guān)注數據手冊上的平安工作區(SOA)曲線(xiàn)，該曲線(xiàn)同時(shí)描繪了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系。根本上，SOA定義了MOSFET可以平安工作的電源電壓和電流。在ORing FET應用中，首要問(wèn)題是：在"完整導通狀態(tài)"下FET的電傳播送才能。實(shí)踐上無(wú)需SOA曲線(xiàn)也能夠取得漏極電流值。

若設計是完成熱插拔功用，SOA曲線(xiàn)或許更能發(fā)揮作用。在這種狀況下，MOS管需求局部導通工作。SOA曲線(xiàn)定義了不同脈沖期間的電流和電壓限值。

留意剛剛提到的額定電流，這也是值得思索的熱參數，由于一直導通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，日漸升高的結溫也會(huì )招致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規則了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱才能。RθJC的最簡(jiǎn)單的定義是結到管殼的熱阻抗。細言之，在實(shí)踐丈量中其代表從器件結(關(guān)于一個(gè)垂直MOS管，即裸片的上外表左近)到封裝表面面的熱阻抗，在數據手冊中有描繪。若采用PowerQFN封裝，管殼定義為這個(gè)大漏極片的中心。因而，RθJC 定義了裸片與封裝系統的熱效應。RθJA 定義了從裸片外表到四周環(huán)境的熱阻抗，而且普通經(jīng)過(guò)一個(gè)腳注來(lái)標明與PCB設計的關(guān)系，包括鍍銅的層數和厚度。

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