【電路設(shè)計】LDO反向電壓保護(hù)電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-12-23
對于LDO而言，大家都知道它是利用晶體管充當(dāng)可調(diào)電阻器分壓實現(xiàn)目標(biāo)電壓的輸出，有人會說，那LDO的輸出電壓肯定會低于輸入電壓，那就沒必要設(shè)計反向電壓保護(hù)電路了；
這主要是考慮到當(dāng)輸入電源斷開的瞬間，如果LDO的輸入電壓的下降速度遠(yuǎn)高于LDO的輸出電壓下降速度的時候，比如LDO輸出端有容性大負(fù)載時，很可能會出現(xiàn)輸出的電壓高于輸入電壓，這樣有可能造成損壞LDO。
今天我們將來講解一下LDO反向電壓保護(hù)電路。
1.串聯(lián)二極管
串聯(lián)反向二極管是最常見的一般反壓保護(hù)方法，缺點在于，正向壓降的存在會導(dǎo)致對輸入輸出壓差的要求提高，特別是低壓差的應(yīng)用中，也就是說輸入電壓和輸出電壓本來差的就不多；
如果壓差小于二極管的導(dǎo)通壓降，那這種方案就是不可行的，需要注意的是二極管的正向?qū)娏髂芰σ笥谧畲筝敵鲭娏鳎聪蚰蛪阂笥谧畲箅娫措妷骸?/span>
2.并聯(lián)肖特基二極管
上一個方案可以采用普通二極管，具體和輸出電壓輸出電壓壓差有關(guān)，但是本方案必須采用并聯(lián)肖特基二極管保護(hù)，這是肖特基二極管正向壓降比較低，其實就相當(dāng)于當(dāng)反壓的情況發(fā)生時，由于肖特基二極管導(dǎo)通壓降更低，電流主要走這里流走，而不會損壞LDO。
同時該方法不會增加LDO的電壓降，不會有輸入端串聯(lián)二極管的局限性。
當(dāng)然除了一些加外部器件進(jìn)行反壓保護(hù)之外，還有一些LDO內(nèi)部集成了反向電壓保護(hù)電路，比如內(nèi)部背靠背結(jié)構(gòu)，或者把晶體管的bulk區(qū)接地，這樣就不會出現(xiàn)體二極管，所以我們要注意看LDO規(guī)格書，不要重復(fù)設(shè)計。
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