驅(qū)動(dòng)IC控制的MOS管開關(guān)電路實(shí)例分析-KI MOS管

在設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，要滿足的首要條件就是Vgs電壓大于Vth開啟電壓，一般來(lái)說(shuō)Source極是接地的，所以我們一般關(guān)注的是Gate電壓，但是在一些特殊的應(yīng)用場(chǎng)合中，比如H橋驅(qū)動(dòng)電機(jī)時(shí)，這個(gè)時(shí)候MOS管的S極可能并不直接接地，那么我們應(yīng)該如何控制MOS管的開關(guān)呢？這時(shí)候就需要用到專門的MOS驅(qū)動(dòng)IC了。

實(shí)例分析

專門的驅(qū)動(dòng)IC為了實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)MOS，一般內(nèi)部會(huì)集成自舉電路，從而可以提供高于電源電壓的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)快速開關(guān)MOS,以DGD0506為例，雖然該IC的供電電源電壓是15V，但是它卻能提供高達(dá)50V的驅(qū)動(dòng)電壓輸出。

VB和VS引腳之間的電容就是自舉電容，是完成升壓的核心器件。從下面的電路我們可以看出來(lái)，驅(qū)動(dòng)IC的Vs引腳直接接到了MOS的Source極，這樣就解決了沒(méi)有GND作為Source極電壓參考的問(wèn)題。

另外，如果我們用分立器件搭建半橋驅(qū)動(dòng)電路來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)時(shí)，一旦軟件出現(xiàn)BUG，兩個(gè)MOS同時(shí)導(dǎo)通，相當(dāng)于VCC和GND直連了，那么兩個(gè)MOS上會(huì)出現(xiàn)很大的短路電流，可能會(huì)燒毀MOS，集成MOS內(nèi)部有死區(qū)時(shí)間控制，能夠從硬件上避免兩個(gè)MOS同時(shí)導(dǎo)通的情況出現(xiàn)；

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是我們?cè)陂_啟一個(gè)MOS時(shí)，會(huì)硬件延時(shí)，而這段硬件延時(shí)時(shí)間能充分保證另一個(gè)MOS已經(jīng)關(guān)閉了，我們可以通過(guò)調(diào)整DT引腳上連接的電阻來(lái)調(diào)整死區(qū)保護(hù)時(shí)間。

總結(jié)來(lái)說(shuō)，使用IC驅(qū)動(dòng)MOS減少了外圍分立器件，并且能大大擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)電壓以及應(yīng)用場(chǎng)景，當(dāng)然，這也會(huì)導(dǎo)致成本的上升，所以還是要基于需求來(lái)搭建驅(qū)動(dòng)電路，如果你得MOS管開關(guān)電路沒(méi)有開關(guān)時(shí)間的要求，并且也不是驅(qū)動(dòng)H橋這種電路，只是用于簡(jiǎn)單的負(fù)載開關(guān)，這個(gè)時(shí)候考慮一下電流，MOS管的溫升，如果都比較合理的話，那用MCU直驅(qū)也是可以的。

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