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應(yīng)用領(lǐng)域

MOSFET帶負(fù)載功率能力圖文分享-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-12-19 

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MOSFET帶負(fù)載功率能力圖文分享-KIA MOS管


一般來(lái)說(shuō)MOS管規(guī)格書中會(huì)給出功耗額定值。然而,這一般是在 25℃時(shí)的參數(shù)。實(shí)際應(yīng)用中MOS管通常具有較高的溫度,對(duì)于功率MOS而言,其溫度可以輕松達(dá)到 100℃。


MOS管 功率


無(wú)散熱片的MOS功率能力:

Pcapability = (Tjmax – Tamb) / Rthja


帶散熱器的MOS功率電源能力:

Pcapability = (Tjmax – Tcase) / (Rthjc + Rthchs + Rthhsa)


其中:

Tjmax – 規(guī)格書中規(guī)定的MOS最大結(jié)溫

Tamb – 工作環(huán)境溫度

Rthja – 結(jié)到環(huán)境的熱阻

Tcase – MOSFET的外殼溫度

Rthjc – 結(jié)到外殼的熱阻

Rthchs – 外殼到散熱器的熱阻


熱阻其實(shí)可以理解成MOS的散熱能力參數(shù),熱阻越大,散熱越差,對(duì)于器件而言,如果沒(méi)加散熱器,一般只考慮結(jié)到空氣的熱阻,如果加了散熱器,則需考慮結(jié)到外殼,以及外殼到空氣的熱阻。


MOS管 功率



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