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【收藏】經典NMOS開關驅動電路分享-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-11-18 

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【收藏】經典NMOS開關驅動電路分享-KIA MOS管


NMOS開關驅動電路

NMOS 開關驅動電路


注:

Q5:一個NMOS管。

R25/100R 的作用:

防止振蕩

減少柵極充電的峰值電壓

保護NMOS管的D-S及不被擊穿


防止震蕩,GPIO口輸出端可能有些雜散的電感,在電壓突變的情況下,可能會產生LC振蕩,當我們加入R25之后,會提高阻尼減少振蕩。


減少柵極充電的峰值電壓,當柵極的電壓拉高,首先對柵極的寄生電容進行充電,I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力,為了保護IC,添加R25之后,可能有效的增長充電的時間,進而減小充電時候的電流。


從導通到截止狀態(tài),VDS電壓迅速增加,如果dVDS/dt過大,可能會燒壞器件,R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電,從而保護mos管。


R26 10K的作用:

下拉型抗干擾電阻,GPIO輸出狀態(tài)下,在Nmos端,可以看出mos端處于一個高阻態(tài)或者懸浮的一個狀態(tài),為了避免意外打開mos管,加上了個10k下拉。


KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè),竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產品。

NMOS 開關驅動電路



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