【圖文】MOS管防反接防過(guò)壓電路-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-11-17
Vin正常輸入電壓時(shí)，穩(wěn)壓管沒(méi)有反向擊穿，R3，R4電流基本為0。（個(gè)人理解：首先對(duì)于D1這個(gè)穩(wěn)壓管的鉗位電壓一定是稍微大于電源正常的工作電壓的，看做是斷開(kāi)的）
PNP三極管的Vbe=0，即PNP三極管不導(dǎo)通。
PMOS管Q4的Vgs由電阻R5，R6分壓決定，PMOS管導(dǎo)通，即電源正常工作。
當(dāng)Vin輸入大于正常輸入電壓（過(guò)壓情況下），此時(shí)Vin>Vbr（輸入電壓大于穩(wěn)壓管D1的擊穿電壓 ），穩(wěn)壓管被擊穿（導(dǎo)通），其上電壓為Vbr（此時(shí)為鉗位電壓）。
PNP三極管Q1導(dǎo)通（當(dāng)電源的過(guò)電壓可以在三極管的射極和基極產(chǎn)生一個(gè)大約0.7v的導(dǎo)通壓降的時(shí)候），VCE≈0（三極管導(dǎo)通），即PMOS管的Vgs≈0（三極管導(dǎo)通這兩極相當(dāng)于短路），PMOS管不導(dǎo)通，電路斷路，即實(shí)現(xiàn)了過(guò)壓保護(hù)。
防反接這個(gè)其實(shí)就是利用了左下角這個(gè)NMOS管的特性，對(duì)于NMOS如果我們給上面這個(gè)圖加上反向的電壓是不導(dǎo)通的。（NMOS導(dǎo)通的條件是G極接高電位，另外上圖并不是常用的接法，我們應(yīng)該將NMOS的源極一側(cè)接地）
如上圖
當(dāng)電源正確接入時(shí)。電流的流向是從Vin到負(fù)載，在通過(guò)NMOS到GND。剛上電時(shí)因?yàn)镹MOS管的體二極管存在，地回路通過(guò)體二極管（補(bǔ)充一句我習(xí)慣稱為：寄生二極管）接通，后續(xù)因?yàn)閂gs大于Vgsth門限電壓，MOS管導(dǎo)通。
當(dāng)電源接反時(shí)，體二極管不通，并且Vgs的電壓也不會(huì)符合要求，NMOS管不通，電路中沒(méi)有電流回路，斷路，負(fù)載不工作，也不會(huì)燒壞，實(shí)現(xiàn)了保護(hù)。
需要提起的是，當(dāng)電源正常接入時(shí)，電路中的電流是從S到D。與常規(guī)NMOS管使用的電流方向是不同的。
電路需要注意，正常情況下Vgs不能大于NMOS管的Vgs最大耐壓值，如果超過(guò)了可以在Vgs上面跨接一個(gè)穩(wěn)壓管防止燒壞。
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