【收藏】電機驅(qū)動功耗的計算-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-10-26
在為特定應(yīng)用選擇電機驅(qū)動器IC時，一個關(guān)鍵考慮因素是可通過該器件驅(qū)動的最大電流。器件和PCB的熱性能常常限制了電機驅(qū)動器能夠安全處理的電流。正因如此，在設(shè)計電機應(yīng)用時，計算電機驅(qū)動器的總功耗至關(guān)重要。
要計算電機驅(qū)動器中的近似功耗，必須考慮電機驅(qū)動器IC內(nèi)部的所有功耗源，例如FET導(dǎo)通電阻中的功耗。
Rds(on)耗散
電機驅(qū)動器IC內(nèi)最大的功耗源是FET導(dǎo)通電阻或Rds(on)中的功耗。例如，H橋（使用高邊FET和低邊FET）的功耗為：
其中，P(Rds)為輸出FET中的功耗；HS為高邊FET的電阻；LS為低邊FET的電阻，Io是加載到電機中的RMS輸出電流。
清注意：
Rds(on)會隨溫度升高而增加，因為器件變熱時，功耗也隨之增加。
開關(guān)損耗
當輸出從高電平轉(zhuǎn)換為低電平或從低電平轉(zhuǎn)換為高電平時，輸出器件會穿過一個線性區(qū)域，在該區(qū)域，它們的功耗會明顯高于完全導(dǎo)通時的功耗。這種功耗稱為開關(guān)損耗。
在近似計算中，各輸出的開關(guān)損耗為：
其中，Psw為一個輸出的總開關(guān)損耗（以瓦特為單位）；P(RISE)為上升沿期間的功耗；P(FALL)為下降沿期間的功耗。
展開上述方程：
其中，Vm為電源電壓（以伏特為單位）；Iout為輸出電流（以安培為單位）；tR為上升時間（以秒為單位）；tF為下降時間（以秒為單位）；fsw為開關(guān)頻率（以赫茲為單位）。
大多數(shù)情況下，tR和tF的值均包含在驅(qū)動器的規(guī)格書中。
工作電源電流耗散
在實際應(yīng)用中，電機驅(qū)動器IC會消耗一些電流。
此功耗的計算公式如下：
P=Vm×Im
其中，Vm為電機驅(qū)動器的工作電壓；Im為電機驅(qū)動器的工作電流。
其他功耗
在某些電機應(yīng)用中，你可能希望使用LDO調(diào)節(jié)器來提供外部電源負載。此功耗的計算公式如下：
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