以電路分析開關(guān)電源Layout原則-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-10-14
以同步整流BUCK電路為例分析開關(guān)電源Layout原則。
首先分析工作原理，下文用SM指代Switch MOSFET，RM指代Recifier MOSFET。
SM和RM兩管互補導(dǎo)通，SM導(dǎo)通時電源給電感充電，SM電流i1線性上升；當RM導(dǎo)通時，i1變?yōu)?，電感給負載放電，RM電流i2線性下降，具體波形如下圖所示。
接著元器件就是布局規(guī)則
①SM和RM上通過的電流存在較大的突變，即較高的 di/dt，和輸入濾波電容會形成環(huán)路，該環(huán)路上PCB引線寄生電感(nH級別)會產(chǎn)生較大的電壓尖峰，同樣會產(chǎn)生較大的磁場輻射，因此需要保證環(huán)路面積小。
②功率電路和控制電路分隔開；
③補償網(wǎng)絡(luò)要靠近控制芯片放置，使用短的引線，遠離功率信號。
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