S是有電流通過的,很快S電位升高,MOS管GS產(chǎn)生了負(fù)電壓,進(jìn)而MOS管導(dǎo)通,導(dǎo)通壓降 Vds = 導(dǎo)通內(nèi)阻 * 電流,一般遠(yuǎn)小于二極管壓降。" />

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應(yīng)用領(lǐng)域

MOS管體二極管的應(yīng)用:防反接、電源切換電路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-09-14 

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MOS管體二極管的應(yīng)用:防反接、電源切換電路-KIA MOS管


體二極管

1. 體二極管也可能是穩(wěn)壓管。

2. 體二極管的續(xù)流能力與MOS本身過流能力相當(dāng),作為開關(guān)時(shí),不需要額外的續(xù)流二極管。


MOS管防反接

常常使用二極管串接在電源輸入用作防反接,正常電源供電電路中影響不大,不過當(dāng)需要較準(zhǔn)確的供電電壓時(shí)就不行。


例如芯片Debug接口,如果外部供電3.3V,減去0.3-0.4的鍺管壓降,在某些時(shí)候(調(diào)試線較長(zhǎng)或者線阻過大)實(shí)際輸入會(huì)更小,最終導(dǎo)致Debug故障、程序燒錄故障。


所以需要一個(gè)既能防反接又能無壓降的方案,可知獨(dú)立封裝的MOS管中存在所謂“體二極管”,這決定了MOS管存在某些單向特性,MOS管用作防反接正是利用了這種特性。


原理說明:

MOS管體二極管 防反接 電路


接法圖示:

MOS管體二極管 防反接 電路


MOS管能夠?qū)崿F(xiàn)防反接的原因(PMOS為例):

1. D接供電正,S接供電負(fù),電路通電瞬間MOS管是關(guān)閉狀態(tài),但是由于體二極管的存在,D->S是有電流通過的,很快S電位升高,MOS管GS產(chǎn)生了負(fù)電壓,進(jìn)而MOS管導(dǎo)通,導(dǎo)通壓降 Vds = 導(dǎo)通內(nèi)阻 * 電流,一般遠(yuǎn)小于二極管壓降。


2. D接供電負(fù),S接供電正,由于體二極管反向串接,所以源極電壓不變,MOS一直處于關(guān)斷狀態(tài)。


3. MOS管是絕緣柵增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,導(dǎo)電溝道形成后,D、S極電流方向完全取決于外加電場(chǎng)方向,所以導(dǎo)通后不限制電流方向。為什么常見MOS的高端或低端驅(qū)動(dòng)電路的接法與此處不同,那因?yàn)橹挥畜w二極管反向接入電路才能實(shí)現(xiàn)關(guān)斷,即MOS做開關(guān)是有方向的,并非是電流有規(guī)定方向。


另外,晶體管的C、B極對(duì)導(dǎo)通電流方向有要求,原因在于工藝上只有發(fā)射極才能提供大量多子同時(shí)只有集電結(jié)才能收集它們。晶體管的反向電流只是本征半導(dǎo)體激發(fā)的少子形成的“穿透電流”,是非常小的。


注意到MOS管用作防反接時(shí),G極總是固定電位,如果利用這個(gè)可控的電極是否可以做點(diǎn)別的?當(dāng)然可以。


延伸應(yīng)用:電源選擇或電源隔離

例如電池供電與外接適配器供電的切換

1. 只有電池,電池供電

2. 電池和適配器同時(shí)存在,只使用適配器供電,隔離兩個(gè)電源

3. 只有適配器,適配器單獨(dú)供電


MOS管體二極管 防反接 電路

上圖 一個(gè)LED作為負(fù)載。


兩者同時(shí)供電時(shí),控制信號(hào)是由適配器端取電,適配器存在就輸出高電壓關(guān)斷PMOS,電池供電被切斷(電池電壓與適配器輸入電壓相同,體二極管不導(dǎo)通),達(dá)到電池與外部供電隔離的效果;


當(dāng)沒有適配器時(shí),控制信號(hào)為0電位,此時(shí)MOS管導(dǎo)通,電池單獨(dú)供電;


只有適配器時(shí)也不影響適配器單獨(dú)供電。


此處,控制信號(hào)不能直連(或者分壓)適配器電壓,因?yàn)榧词箻O短的浪涌也會(huì)燒掉MOS管。


注:柵源連接的圖示畫錯(cuò)了,圖示中的箭頭應(yīng)該指向源極(適配器)。



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