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【圖文詳解】場(chǎng)效應(yīng)管的偏置電路及靜態(tài)分析-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-08-17 

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【圖文詳解】場(chǎng)效應(yīng)管的偏置電路及靜態(tài)分析-KIA MOS管


為了保證在有輸入信號(hào)時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管始終工作在放大區(qū)(恒流區(qū)),同晶體管一樣,場(chǎng)效應(yīng)管放大電路也要建立合適的靜態(tài)工作點(diǎn)。所不同的是,場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,因此它需要有合適的柵源電壓。根據(jù)不同類型的場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)柵源電壓 UGS 的要求,通常偏置形式有兩種:


一種是只適合結(jié)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的自偏壓電路

一種是用于各種類型場(chǎng)效應(yīng)管的分壓式偏置電路


1. 自給偏壓式電路

場(chǎng)效應(yīng)管 偏置電路 靜態(tài)


自給偏壓方式適合于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管


由耗盡型MOS管的特性可知,即使UGS = 0,在相應(yīng)的電壓 UDS 作用下也有漏極電流 ID。


在圖所示電路中,當(dāng)ID流過(guò)源極電阻R時(shí)會(huì)產(chǎn)生壓降 USQ = IDQ * R,由于柵極電流為零,從而使R電流為零,所以柵極電位VGQ = 0,因此柵-源靜態(tài)電壓為


場(chǎng)效應(yīng)管 偏置電路 靜態(tài)


靜態(tài)工作點(diǎn)分析:

由以下公式能算出 IDQ 和 UDSQ

場(chǎng)效應(yīng)管 偏置電路 靜態(tài)


2. 分壓式自偏壓電路

上圖所示的電路簡(jiǎn)單,也有一定的穩(wěn)定工作點(diǎn)的作用。但Ra的取值不能取得很大,否則將使負(fù)偏壓過(guò)高,放大倍數(shù)下降,并產(chǎn)生嚴(yán)重的非線性失真。


所示的電路為N溝道增強(qiáng)型MOS管共源放大電路,所示電路的改進(jìn)電路,在它的柵極上加接了一個(gè)正電位,即通過(guò)電阻Rg1、Rg2分壓后經(jīng)Rg3加至柵極 go由于柵極加了一個(gè)正電位,則可將接在源極s的Rs的阻值適當(dāng)加大,使靜態(tài)工作點(diǎn)Q不至于過(guò)低,且穩(wěn)定度大大提高。

場(chǎng)效應(yīng)管 偏置電路 靜態(tài)


柵極、源極電位分別為:

場(chǎng)效應(yīng)管 偏置電路 靜態(tài)


因此柵-源電壓:

場(chǎng)效應(yīng)管 偏置電路 靜態(tài)


再根據(jù) IDQ 與 UGSQ 之間的關(guān)系:

場(chǎng)效應(yīng)管 偏置電路 靜態(tài)

其他變量就能算出來(lái)。



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