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【運(yùn)放】負(fù)反饋放大電路自激振蕩和消除-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-08-15 

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【運(yùn)放】負(fù)反饋放大電路自激振蕩和消除-KIA MOS管


自激振蕩產(chǎn)生的原理

先回顧一下負(fù)反饋放大電路的基本原理框圖:

放大電路 自激振蕩

如圖中,負(fù)反饋放大電路在引入了反饋量之后,放 大電路的凈輸入Xid將減小,所以Xi和Xf是同相位的,也就是通過基本放大電路A和反饋網(wǎng)絡(luò)F的 處理之后,信號變化了整數(shù)個(gè)周期,有相移角φa+φf=2n*180°。


上面的分析,是基于信號處于中頻區(qū)域,電路中的 電抗性元器件影響不明顯;當(dāng)信號處于高頻或低頻區(qū)時(shí),電路中的電抗性元器件的影響增大, 基本放大電路的增益A和反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)F的相位都會(huì)隨頻率產(chǎn)生變化,會(huì)使得Xf與Xi不再 同相位,產(chǎn)生附加相位。


當(dāng)在某一頻率下,A和F的附加相位達(dá)到180°時(shí),就 會(huì)使得φa+φf = (2n+1)*180°,即Xf與Xi變成了反相,放大電路由負(fù)反饋?zhàn)兂闪苏答仯?


進(jìn)一步地,當(dāng)正反饋較強(qiáng)時(shí),以至于達(dá)到-Xf=Xid時(shí) ,則此時(shí)電路沒有輸入,也能產(chǎn)生輸出信號,即發(fā)生了自激振蕩。


以自激振蕩的條件分析,當(dāng)-Xf=Xid時(shí),因?yàn)閄id·A ·F=Xf,則環(huán)路增益A·F = -1(這里A和F都是復(fù)數(shù)),也就是它滿足幅值條件和相位條件:|A ·F| = 1 且 φa+φf = (2n+1)*180°。為了突出附加相位的關(guān)系,相位條件也常寫成Δφa+ Δφf =±180°。


所以,在滿足上述幅值條件和相位條件時(shí),電路可 以保持振蕩的狀態(tài)。另外,一般情況下,當(dāng)相位條件滿足Δφa+Δφf =±180°,且|A·F| > 1時(shí),更容易起振,此時(shí)電路更容易由一個(gè)小幅振蕩越變越大,最終達(dá)到電路的電源可提 供的最大振幅。


穩(wěn)定工作的條件

由上一節(jié)分析,自激振蕩的條件需要滿足相位條件 、幅值條件,所以,如果想要抑制電路自激,只要破壞任意一個(gè)條件即可,即要求|A·F| >=1時(shí)|φa+φf|<180°,或者當(dāng)φa+φf=±180°時(shí)|A·F|<1。


我們在環(huán)路增益A·F的波特圖上進(jìn)行分析,如圖是 一個(gè)放大電路的環(huán)路增益波特圖示例:


放大電路 自激振蕩


我們將|A·F|和φa+φf的圖形橫坐標(biāo)(頻率)對齊 ,然后比對。


當(dāng)|A·F|=1時(shí),也即20lg|A·F|=0時(shí),頻率為f0, 對應(yīng)到附加相移φa+φf圖形上,可以看到此時(shí)相移是小于180°的,所以不會(huì)自激振蕩。也可 以通過相位條件反推,當(dāng)相位條件滿足時(shí),頻率為圖中f180,對應(yīng)到幅值圖形中,可以看到增 益Gm的對數(shù)是小于0的,即|A·F|<1,也不會(huì)自激振蕩。


圖中增益為0dB的相位與180°的差值φm稱為相位裕 度,Gm與0dB的差值稱為增益裕度。工程上一般要求φm>=45°或Gm<=-10dB,以保證電路 在外界干擾、環(huán)境變化、電路參數(shù)等條件變化時(shí)仍能保持良好的穩(wěn)定性。


下面我們以幾個(gè)簡單的例子來說明一下

a)不滿足自激條件的電路仿真

如下圖,是一個(gè)簡單的電壓跟隨器電路,負(fù)載是一 個(gè)純電阻:

放大電路 自激振蕩


我們使用波特圖儀仿真出它的環(huán)路增益波特圖,第 一個(gè)圖是幅頻響應(yīng),第二個(gè)圖是相頻響應(yīng)。


可以看到,第一幅圖中,這個(gè)電路的環(huán)路增益始終 比0dB小(最大為-0.004dB,頻率到1.9MHz時(shí)約為-10.9dB),所以不會(huì)自激振蕩。


另一方面,第二幅圖中,相頻響應(yīng)要到2.98MHz才能 使相移到145°左右,而此時(shí)幅頻響應(yīng)是要遠(yuǎn)小于0dB的,所以也不會(huì)自激振蕩。而且這個(gè)電路 有比較大的相位裕度和增益裕度。


b)可能自激的情況

如下圖,仍然是同樣的電壓跟隨器電路,但是負(fù)載 是一個(gè)電阻并聯(lián)電容:

放大電路 自激振蕩


我們知道,運(yùn)放驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載,是很容易發(fā)生振 蕩的,實(shí)際分析情況如何呢?


可以看到,第一幅圖中,這個(gè)電路的環(huán)路增益起始 為0dB,之后有一個(gè)升高的尖峰,此區(qū)間增益是大于0dB的;到9.205kHz時(shí)降為1.75dB,此時(shí)仍 然是大于0dB的。


另一方面,第二幅圖中相頻響應(yīng)在9.205kHz時(shí),相 移為-179.4°,接近-180°,此時(shí)是非常容易自激振蕩的。


3)運(yùn)放自激振蕩的補(bǔ)償

運(yùn)放自激振蕩時(shí),一般可以通過以下幾種方法解決 :


a)當(dāng)振蕩由分布電容、電感等引起時(shí),可通過反饋 端并聯(lián)電容,抵消影響


如下圖,反相比例放大電路中,輸入處有分布電容 Cin,這個(gè)電容會(huì)引起一定的相位滯后,在一定頻率下會(huì)使得電路振蕩;解決辦法是在反饋電阻 R2上并聯(lián)一個(gè)電容Cf,稱為相位超前補(bǔ)償;增加Cf后可以使得0dB點(diǎn)的頻率后移。一般Cf取值為 幾pf至幾十pf,大于Cin即可。

放大電路 自激振蕩


b)振蕩是由于運(yùn)放驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載引起,可以在輸出 端串接小電阻消除

運(yùn)放驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載,會(huì)使得反饋信號滯后,可以在 輸出處串接一個(gè)小電阻,減弱電容對反饋信號的滯后作用;這屬于環(huán)路外補(bǔ)償。如下仿真圖:


放大電路 自激振蕩


和上一節(jié)的容性負(fù)載波特圖比較,可以看到,在有 容性負(fù)載的輸出處串聯(lián)了一個(gè)5.1Ω的小電阻后,已經(jīng)沒有大于0dB的點(diǎn),而且相位裕度也很大 。


c)降低環(huán)路增益

前兩種方法都是通過調(diào)整電路的相位來實(shí)現(xiàn)的,某 些時(shí)候,可以降低電路的環(huán)路增益(即減少反饋量,增大閉環(huán)增益)來解決振蕩問題。如某些 種類的運(yùn)放在閉環(huán)放大倍數(shù)小于1時(shí),不能穩(wěn)定工作,此時(shí)可以調(diào)整參數(shù),增大其閉環(huán)增益A( 即減小F),則可以穩(wěn)定工作。



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