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【電路精選】電源諧振半橋轉(zhuǎn)換電路分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-08-09 

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【電路精選】電源諧振半橋轉(zhuǎn)換電路分析-KIA MOS管


在各種類型的諧振轉(zhuǎn)換器中,圖1的LLC串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器(LLC-SRC)格外引人矚目,因?yàn)樗懈鼜?qiáng)的輸出調(diào)節(jié)功能、更小的循環(huán)電流和更低的電路成本。


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串聯(lián)諧振特性允許直流(DC)/DC LLC-SRC中的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)(如圖2所示)擁有很寬范圍的零電壓開關(guān)(ZVS);因此,LLC-SRC能在前端電源應(yīng)用中輕松實(shí)現(xiàn)超過94%的效率,并能在高開關(guān)頻率下運(yùn)行。


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和PWM轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)過程相似,當(dāng)設(shè)計(jì)LLC-SRC時,第一個步驟是選擇滿負(fù)載情況下所需的工作頻率。剩下的步驟就不同了,因?yàn)橹C振轉(zhuǎn)換器里沒有占空比因數(shù)。在LLC-SRC中占空比保持不變,是50%,非常理想。圖3展示了LLC-SRC的設(shè)計(jì)流程圖。


Mg/Qe和Mg/fn圖表中的增益曲線是由圖1所示的LLC諧振槽路(它也是LLC諧振半橋轉(zhuǎn)換器的線性化電路)衍生而來的。


圖3提供了LLC諧振半橋轉(zhuǎn)換器的簡單電路參數(shù)選擇過程。通過檢查增益曲線上的fn_min、fn_max位置,您就能設(shè)計(jì)出在所有輸入條件下開關(guān)網(wǎng)絡(luò)上均具有ZVS的高效LLC諧振半橋變換器。


當(dāng)設(shè)計(jì)LLC諧振半橋變換器時,請謹(jǐn)記:

任何時候,在Mg/fn圖表中fn_min都需要高于增益曲線的脊線。這是為確保金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)能保持ZVS狀態(tài)。LLC-SRC的效率只能在一個操作點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化。


當(dāng)fsw= fo時,串聯(lián)Lr和Cr變成零阻抗?fàn)顟B(tài)(圖4);該轉(zhuǎn)換器在那個點(diǎn)具有最高的效率。您需要決定自己想優(yōu)化的線路/負(fù)載條件,并確保您的開關(guān)頻率在那樣的條件下是諧振頻率。


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等離子和液晶電視如今已經(jīng)走入了千家萬戶,這兩種電器的開關(guān)電源設(shè)計(jì)比較特殊,只能采用有源或者無源PFC模式,并且需要能夠長時間在無散熱通風(fēng)的環(huán)境下工作。這就要求電源不僅要擁有高功率密度和平滑的電磁干擾信號,還要盡量少的使用元器件。而在這些方面,半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器擁有諸多的優(yōu)勢。


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半橋LL諧振電容和諧振電感的配置

單諧振電容和分體諧振電容都存在于半橋轉(zhuǎn)換器當(dāng)中。對于單諧振電容配置而言,它的輸入電流紋波和均方根(RMS)值較高,而且流經(jīng)諧振電容的均方根流較大。這種方案需要耐高壓(600~1,500V)的諧振電容。不過,這種方案也存在尺寸小、布線簡單等優(yōu)點(diǎn)。

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分體諧振電容相較于單個諧振電容而言,其輸入電流紋波和均方根值較小。諧振電容僅處理一半的均方根電流,且所用電容的電容量僅為單諧振電容的一半。當(dāng)利用鉗位二極管(D3和D4)進(jìn)行簡單、廉價的過載保護(hù)時,這種方案中,諧振電容可以采用450V較低額定電壓工作。


顧名思義,半橋LLC轉(zhuǎn)換器中包含2個電感(勵磁電感Lm和串聯(lián)的諧振電感Ls)。根據(jù)諧振電感位置的不同,諧振回路也包括兩種不同的配置,一種為分立解決方案,另一種為集成解決方案。這兩種解決方案各有其優(yōu)缺點(diǎn),采用這兩種方案的LLC的工作方式也有輕微差別。


將諧振電感安裝在變壓器外面是有目地的。其能夠幫助設(shè)計(jì)者提高設(shè)計(jì)的靈活性,令設(shè)計(jì)人員可以靈活設(shè)置Ls和Lm的值;此外,EMI幅射也更低。不過,這種解決方案的缺點(diǎn)在于,變壓器初級和次級繞組間的絕緣變得復(fù)雜,并且繞組的冷卻條件變差,并需要組裝更多元件。

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在另一種集成的解決方案中,變壓器的漏電感被用作諧振電感(LLK=LS)。這種解決方案只需1個磁性元件,而且會使得開關(guān)電源的尺寸更小。此外,變壓器繞組的冷卻條件更好,且初級和次級繞組之間可以方便地實(shí)現(xiàn)絕緣。不過,這種解決方案的靈活性相對較差(可用的LS電感范圍有限),且其EMI幅射更強(qiáng),而初級和次級繞組之間存在較強(qiáng)的鄰近效應(yīng)。



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