mos管工作電路
工作頻率和驅動(dòng)信號的占空比不是很大，并且VMOS的功率規格也不是很大時(shí)，普通并不需求為VMOS配置特地的驅動(dòng)電路。通用的CMOS半導體(互補金屬氧化物品體管邏輯IC)、TTL（晶體管邏輯）集成電路、常見(jiàn)的PWM專(zhuān)用IC的輸出級都能夠直接驅動(dòng)VMOS。這種驅動(dòng)方式普通適用于驅動(dòng)信號的產(chǎn)生及控制電路與VMOS構成的功率級電路共地的狀況。
TTL集成電路的邏輯電平為5V，輸出級通常由BJT（雙極性晶體管）組成，信號普通從集電極輸出，這就是常說(shuō)的“集電極開(kāi)路輸出”，當然，輸出級也有采用MOSFET的，這就是“開(kāi)漏輸出”。上述開(kāi)路輸出方式需求外部電路配置偏置電阻，以樹(shù)立工作點(diǎn)，限定輸出電流（圖5．71）。
通用IC的峰值電流驅動(dòng)才能通常都不會(huì )超越1A，這是限制其驅動(dòng)才能的主要要素。圖中的上拉電阻R3決議了驅動(dòng)才能的大小和性能。R4是柵極泄放電阻，作用是在柵極驅動(dòng)信號沒(méi)有時(shí)疾速泄放掉輸入電容的電荷。R4越小越有利于VMOS的疾速關(guān)斷，但是義會(huì )增加控制電路的驅動(dòng)擔負，普通而言，R4的取值不應該小于控制電路的輸出阻抗。
在驅動(dòng)才能有限的條件下，為了減小引線(xiàn)寄生電感的影響，VMOS間隔控制電路越近越好。為了防止柵極電流對控制電路的影響，圖中的旁路( Bypass)電容也是引薦要采剛的，普通采用聚酣、CBB、瓷片等無(wú)極性電容，容量為0.1~lμF即可。
采用TTL集成電路驅動(dòng)MOS另一個(gè)需求留意的問(wèn)題是，工作電壓至少要高于VMOS的開(kāi)啟電壓VGS（th），而且要保證圖中A點(diǎn)的驅動(dòng)電壓高于開(kāi)啟電壓。用CMOS來(lái)驅動(dòng)根本上不需求思索這樣的問(wèn)題，由于此類(lèi)Ic能夠提供12V左右的信號電平(圖5.72)。
TTL和CMOS集成電路自身能夠搭接成振蕩電路，產(chǎn)生方波等信號，因此，除了功用上沒(méi)有專(zhuān)用的PWM強大以外（通常的主要區別是維護電路），在簡(jiǎn)單的應用中是很便當的。
圖5. 72中的TTL和CMOS電路符號畫(huà)成了（邏輯）門(mén)電路的方式。門(mén)電路輸出的波形十分規整，關(guān)于方波而言，就是十分“方”的波形，十分合適驅動(dòng)開(kāi)關(guān)電路廠(chǎng)作，只是功率輸出才能有限，普通稱(chēng)之為“電平信號，常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路符號如圖5.73所示，關(guān)于它們的概念，很容易找到相關(guān)的公開(kāi)材料，也不是本書(shū)討論的主要內容，在此不再贅述。
專(zhuān)用的PWM集成電路針對詳細的應用增加了一些適用的功用，經(jīng)典的型號莫過(guò)于UC3842,TL494了，它們當然也能夠直接驅動(dòng)VMOS（圖5.74）。這些IC的輸出級普通為“圖騰柱”電路，驅動(dòng)才能更強，像TL494的輸出級，既可以提供圖騰柱輸出，也能夠提供集電極升路輸出。
圖騰柱屬于推挽電路，因而能夠主動(dòng)對VMOS的柵極停止放電，這樣一來(lái)，柵極泄放電阻能夠省略，也能夠取比擬大的數值，以防萬(wàn)一。假如IC內部的驅動(dòng)才能缺乏，外部能夠增加擴流電路，常見(jiàn)的電路方式也是圖騰柱的電路。關(guān)于集電極開(kāi)路輸出的IC，如TTL集成電路，外接擴流電路時(shí)，通常并不從集電極取信號，而是從發(fā)射極取信號（圖5. 75），這樣—來(lái)，內部的集電極開(kāi)路輸出級就變成了射極跟隨器，既降低了輸出阻抗，也有利于開(kāi)關(guān)速度的進(jìn)步。
擴流電路普通用來(lái)驅動(dòng)大電流規格的VMOS，為了減小驅動(dòng)控制電路與功率級電路之間的互相干擾，通常會(huì )采用各自獨立的電源。為了簡(jiǎn)化圖線(xiàn)的相互穿插以有利于讀圖，地（也稱(chēng)為參考點(diǎn)）和電源也會(huì )在恰當的中央分別畫(huà)出，這種畫(huà)法疏忽了連線(xiàn)的電阻以及阻抗，最初多見(jiàn)于歐美電路原理圖中。在實(shí)踐布線(xiàn)時(shí)，應該留意它們的影響。
Q3、Q4既能夠采用通用的小功率晶體管，也能夠采用小功率互補對管，如FPQ6502等等。
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