自偏置電流鏡設(shè)計實例仿真分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-07-06
在0.18μm的工藝下搭建我們之前討論的電路，設(shè)計一個與VDD變化不敏感的參考電流源，參考電流為20μA，VDD為1.8V。計算相關(guān)參數(shù)，用gm/id法設(shè)計并搭建上一篇文章圖三所示的電路如下圖六所示。
我們得到了一個20μA的電流源，接著測試此參考電流對電源電壓變化的穩(wěn)定性，設(shè)置電源電壓從0到2.5V，得到如圖7所示的仿真曲線。
我們可以看到參考電流對電源電壓變化比較敏感，達(dá)到了3.7μA/V，這是一個不小的數(shù)值，我們接著搭建圖五所示的電路，驗證增加放大器的效果，如圖八所示，我們從仿真曲線上可以看到效果不錯，敏感度減小到了3.26nA/V。
這種電流鏡可以在一些沒有基準(zhǔn)源的電路中為一些模塊提供電流偏置，介紹了啟動電路用于讓電路正常工作和改善對電源電壓敏感性的增益提高電路。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
