雙柵mos管場(chǎng)效應管及基本特征
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-27
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個(gè)柵極的四端器件，兩個(gè)MOS管柵極都可以對溝道進(jìn)行控制，目的是為了控制的便利性與獨立性，尤其是有兩個(gè)控制量的時(shí)候，就像一個(gè)水池裝兩個(gè)水龍頭，可以更加方便地控制流量。
雙柵極MOSFET大都是小功率產(chǎn)品，主要用于無(wú)線(xiàn)電接收機的混頻級，兩個(gè)柵極分別進(jìn)行增益控制（高頻放大）和混頻（本振輸入）或者變頻（頻率變換）。
因為有兩個(gè)柵極，普通MSOFET的溝道長(cháng)度就顯得有些短，FinFET(雙翼柵FET)就是專(zhuān)門(mén)針對雙柵極MOSFET而設計了比較長(cháng)的溝道（圖1.27）。
為了進(jìn)一步減少兩個(gè)柵極之間相互的干擾，PSDG(Planar Split Dual Gate，平面分離柵)MOSFET成運而生，在加長(cháng)溝道的基礎上，兩個(gè)柵極之間增加廠(chǎng)隔離區（帶），很像兩個(gè)共用源極和漏極的MOSFET。
因此，雖然DGMOSFET、FinFFT、PSDG MOSFET在概念和具體工藝結構上均有區別，不過(guò)在工程實(shí)踐上，區別并不大，新型產(chǎn)品以PSDG MOSFET居多。在概念范疇上，DGMOSFET可以視為FinFET、PSDG MOSFET的統稱(chēng)：，
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