国产成人在线视频网站,国产成人精品在视频,国产亚洲欧美日韩国产片,无遮挡又黄又刺激的视频

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

【分享】氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、緊湊的反激式電源-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-02-25 

分享到:

【分享】氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、緊湊的反激式電源-KIA MOS管


氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations,包含內(nèi)部集成PowiGaN開關(guān)的InnoSwitch4-CZ零電壓開關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設(shè)計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。

這種InnoSwitch4-CZ/ClampZero組合為反激式電源設(shè)計帶來了耳目一新的新性能。


由于變壓器中存在初級漏感,初級側(cè)需要有源鉗位電路。當初級側(cè)開關(guān)關(guān)斷時,漏感換向會導(dǎo)致電壓過沖,從而損壞MOSFET。一種常見的解決方案是使用無源電阻-電容-二極管(RCD)鉗位來保護MOSFET(見圖1)。鉗位將漏感能量轉(zhuǎn)移到鉗位電容中,并在電阻中以熱量的形式耗散。RCD鉗位會降低反激效率,但可為MOSFET提供保護。


反激式電源 MOSFET

圖1. 無源初級鉗位RCD解決方案需要耗散大量的熱量并且會限制反激式電源的效率


在每個開關(guān)周期中,鉗位中的能量都會損失。這迫使設(shè)計者限制最大開關(guān)頻率,而這又需要使用更大的變壓器。因此,無源鉗位解決方案會降低反激效率或?qū)е码娫大w積更大和/或溫度更高。更有效的方法是用有源鉗位代替無源RCD網(wǎng)絡(luò)。


有源鉗位

有源鉗位不消耗能量,而是再循環(huán)漏感能量,從而提高效率并減少熱量產(chǎn)生。在有源鉗位設(shè)計中,RCD緩沖器中的電阻由開關(guān)代替。如果使用ClampZero,開關(guān)則是PowiGaN器件(見圖2)。


初級開關(guān)關(guān)斷后,次級控制指示ClampZero開關(guān)開通,并在初級開關(guān)開通前將鉗位電容儲能傳輸至次級。再循環(huán)鉗位電路使得漏感電流得以換向,還可確保初級開關(guān)上的電壓在其開通前為零(ZVS)。


反激式電源 MOSFET

圖2. InnoSwitch4-CZ/ClampZero反激方案


在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計中,初級MOSFET和有源鉗位開關(guān)以互補方式進行工作(因此這些鉗位電路被稱為“互補模式有源鉗位”電路)。在這種工作模式下,變換器只能工作于非連續(xù)導(dǎo)通模式或臨界導(dǎo)通模式,不能工作于連續(xù)導(dǎo)通模式。


當需要寬輸出電壓范圍的設(shè)計(如USB PD和PPS充電器)時,這對設(shè)計者來說是一個挑戰(zhàn),導(dǎo)致設(shè)計出電源在高輸入電壓下的導(dǎo)通必須非常不連續(xù)。然而,InnoSwitch4-CZ/ClampZero芯片組克服了這個限制。


InnoSwith4-CZ和ClampZero

InnoSwitch4-CZ和ClampZero IC芯片組采用復(fù)雜、非對稱的非互補有源鉗位控制方法,實現(xiàn)智能的零電壓開關(guān),同時支持非連續(xù)和連續(xù)導(dǎo)通工作模式,可提高設(shè)計靈活性,并在所有工作條件下實現(xiàn)效率最大化。


新型反激式開關(guān)IC具有優(yōu)異恒壓/恒流精度,不受外圍元件參數(shù)公差的影響,并且在提供輸入電壓檢測等安全及保護功能的情況下,其空載功耗小于20mW。


InnoSwitch4-CZ產(chǎn)品系列采用薄型InSOP-24D封裝,同時集成了750V開關(guān)、初級和次級控制器、ClampZero接口、同步整流以及符合安全標準的反饋電路。高達140kHz的穩(wěn)態(tài)滿載開關(guān)頻率降低了變壓器尺寸,進一步提高功率密度。


InnoSwitch4-CZ/ClampZero芯片組適合于高效、緊湊的USB PD適配器、高密度反激式AC/DC電源和高達110W的高效恒壓/恒流電源。InnoSwitch4-CZ IC支持可變輸出電壓和電流特性,并具有完善的保護功能,包括用于輸出過壓和欠壓保護的自動重啟動或鎖存故障響應(yīng)方式、輸入欠壓保護以及鎖存或遲滯過溫保護。


設(shè)計范例

設(shè)計者可以將InnoSwitch4-CZ和ClampZero IC與Power Integrations之前推出的MinE-CAP IC產(chǎn)品搭配使用,以設(shè)計出超緊湊型反激電源。MinE-CAP是對InnoSwitch4-CZ和ClampZero IC的自然補充;它可大幅縮小輸入大容量電容的尺寸,而不會影響輸出紋波、工作效率且無需重新設(shè)計變壓器。


與傳統(tǒng)技術(shù)(如極高開關(guān)頻率工作)相比,MinE-CAP可實現(xiàn)同等或更大的整體電源尺寸縮小,同時可避免與極高頻設(shè)計相關(guān)的復(fù)雜EMI濾波和變壓器/鉗位耗散增加的挑戰(zhàn)。MinE-CAP還能精確地管理交流上電時的浪涌電流,從而無需使用功耗較大的NTC或大型慢熔保險絲。


Power Integrations推出的DER-928設(shè)計范例是一款適用于手機和筆記本電腦的超緊湊型60W USB PD 3.0充電器。


設(shè)計特色如下:

使用了具有高壓PowiGaN開關(guān)的InnoSwitch4-CZ有源鉗位反激式開關(guān)IC (INN4073C)

使用了ClampZero有源鉗位IC (CZ1062M)

使用了MinE-CAP大電容小型化IC (MIN1072M)

輸入:90VAC - 265VAC

USB-C PD輸出:5V/3A;9V/3A;15V/3A;20V/3A

反激式電源 MOSFET

圖3. DER-928設(shè)計范例:使用InnoSwitch4-CZ、ClampZero和MinE-CAP芯片組的60W超小型USB PD充電器,體積僅有24.4立方厘米(44平方毫米 x 高12.6毫米)


在上述設(shè)計中,用130F輸入電容替換100F大電容可將峰值功率提高到90W。


其他性能特性包括:

輕松符合DOE6和CoC v5 2016能效標準

提供輸出過壓和過流保護

內(nèi)部集成熱關(guān)斷保護特性

空載輸入功率<60mW,微控制器功耗為20mW

具有高功率密度的緊湊設(shè)計:30.3W/in3,不含外殼(即,60W/1.77in X 1.77in X 0.63in)




聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權(quán),請聯(lián)系刪除。