受800V架構(gòu)影響|電動車市場對SiC晶圓需求暴增-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-12-31
電動車市場對6英寸SiC晶圓需求暴增
隨著新能源汽車的發(fā)展和普及，很多車主的續(xù)航焦慮逐步攀升，廠商也在進行著技術(shù)革新，旨在延長續(xù)航里程及縮短充電時間，整車平臺高壓化趨勢明顯。
據(jù)TrendForce報告顯示，隨著電動車滲透率不斷升高，以及整車架構(gòu)朝800V高壓方向邁進，預(yù)估2025年全球電動車市場對6英寸SiC晶圓需求可達169萬片。
原因是電動車市場對于延長續(xù)航里程及縮短充電時間有著極大需求，整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈，對此各大車企已陸續(xù)推出800V高壓車型，例如保時捷、奧迪、現(xiàn)代等。
800V電氣架構(gòu)的革新將促使耐高壓SiC功率器件全面替代Si IGBT，進而成為主驅(qū)逆變器標(biāo)配，因此SiC深受車企追捧。Tier1廠商Delphi已率先實現(xiàn)800V SiC逆變器量產(chǎn)，BorgWarner、ZF、Vitesco相繼跟進。
目前來看，電動車已成為SiC核心應(yīng)用場景，其中OBC（車載充電器）和DC-DC轉(zhuǎn)換器組件對于SiC器件的應(yīng)用已經(jīng)相對成熟，而基于SiC的主驅(qū)逆變器仍未進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。
對此， STM、Infineon、Wolfspeed、Rohm等功率器件商已與Tier1及車企展開深入合作，以推進SiC上車進程。
其中，上游SiC襯底材料環(huán)節(jié)將成為產(chǎn)能關(guān)鍵制約點，其制程復(fù)雜、技術(shù)門檻高、晶體生長緩慢。
現(xiàn)階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主，盡管Wolfspeed等國際IDM大廠8英寸進展超乎預(yù)期，但由于良率提升及功率晶圓廠由6英寸轉(zhuǎn)8英寸需要一定的時間周期，因此，至少未來5年內(nèi)6英寸SiC襯底都仍為主流。
而隨著電動車市場的爆發(fā)，SiC逐漸大規(guī)模上車應(yīng)用，其成本也將直接決定汽車800V高壓架構(gòu)升級進度。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
