【功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管】MOSFET領(lǐng)域是什么？
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-13
Power MOSFET全稱(chēng)為功率金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管。其電氣符號及根本接法如圖3-25所示。
PowerMOSFET有三個(gè)極，即源極(S)、漏極(D)和柵極(G)?？刂菩盘枴癎S加于柵極和源極之間，改動(dòng)UGS的大小，便可改動(dòng)漏極電流ID的大小。由于柵—源極之間的阻抗十分大，因而控制電流能夠極小，簡(jiǎn)直為0，所以驅動(dòng)功率很小。
器件內寄生有反向二極管，它在變頻器電路中起續流維護作用。
①最大漏極電流IDM 是允許連續運轉的最大漏極電流。
②擊穿電壓uDs 是指漏極與源極之間的擊穿電壓，也就是指管子在截止狀態(tài)下，漏極與源極之間的最大維持電壓。
③閾值電壓UGS 是可以使MOSFET管子導通的最低柵極電壓。該電壓為2- 6V。實(shí)踐運用時(shí)，柵極驅動(dòng)電壓應為(1.5-2.5)Ucs，即15v左右。
④導通電阻RON是MOSFET管子導通時(shí)，漏極與源極之間的電阻值。RON決議了管子的通態(tài)損耗。導通電阻RCN有正溫度系數，即電流越大，RON的值也因附加發(fā)熱而自行增大。因而它對電流的增加有抑止作用。這在器件并聯(lián)應用時(shí)有自動(dòng)平衡電流的效果。
⑤開(kāi)關(guān)頻率 MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和工作頻率要比GTR高1-2個(gè)數量級。普通MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾微秒至幾十微秒，最高頻率可達50kHz以上。
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