場(chǎng)效應管場(chǎng)效應管是應用電場(chǎng)效應來(lái)控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比，具有輸入阻高、噪聲低、熱穩定性好等優(yōu)點(diǎn)，因此得到了疾速開(kāi)展與應用。場(chǎng)效應管與晶體管同為放器件，但工作原理不同：晶體管是電流控制器件，在一定條件下，其集電極電流受基極電控制；而場(chǎng)效應管是電壓控制器件，電了電流受柵極電壓控制。

場(chǎng)效應管的基本知識
定義

場(chǎng)效應晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。它由多數載流子參與導電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成，沒(méi)有二次擊穿現象、平安工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)。在開(kāi)關(guān)電源中常用的是金屬—氧化物—半導體場(chǎng)效應管MOSFET（MetalOxide Semicoductor Field Effect Tran-sistor），它是由金屬、氧化物（Sio2或SiN)半導體三種資料制成的，是應用電壓控制電流以完成放大作用的半導體器件。

2．功用

①場(chǎng)效應管可應用于放大。由于場(chǎng)效應管的放大器的輸入電阻很高，所以其耦合電容的容量能夠較?。翰挥眠\用電解電容。

② 場(chǎng)效應管能夠用做電子開(kāi)關(guān)。

③場(chǎng)效應管的輸入阻抗很高，因而它十分合適用于阻抗變換。它常用在多級放大器的輸入級停止阻抗變換。
④場(chǎng)效應管能夠用做可變電阻。

⑤場(chǎng)效應管能夠便當地用做恒流源。

3.場(chǎng)效應管的分類(lèi)

場(chǎng)效應管分為結型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結型場(chǎng)效應管(JFET)因有兩個(gè)PN結而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應管則因柵極與其他電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應管中，應用最為普遍的是MOS場(chǎng)效應管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬—氧化物—半導體場(chǎng)效應管，MOSFET）；此外還有PMOS，NMOS和UMOS功率場(chǎng)效應管，以及最近剛問(wèn)世的，πMOS場(chǎng)效應管等。按溝道半導體資料的不同，結型和絕緣柵型場(chǎng)效應管各分為N溝道和P溝道兩種。若按導電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應管又可分紅耗盡型與加強型。結型場(chǎng)效應管均為耗盡型，MOS柵型場(chǎng)效應管既有耗盡型的，也有加強型的。場(chǎng)效應晶體管可分為結型場(chǎng)效應晶體管和Mos場(chǎng)效應晶體管。而MOS場(chǎng)效應晶體管又分為N溝耗盡型和加強型，P溝耗盡型和加強型四大類(lèi)。

4．主要參數

1)直流參數

開(kāi)啟電壓UT：是指加強型絕緣柵場(chǎng)效應管中，使漏源間剛導通時(shí)的柵極電壓。

夾斷電壓uGS（Off，（也能夠用UP）：是指加強型絕緣柵場(chǎng)效應管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。

飽和漏極電流IDss：指耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管在UGS=o時(shí)的漏極電流。

輸入電阻RDS(DC)：因iG=0，所以輸入電阻很大。JPET的輸入電阻大于107Ω，MOSFET的輸入電阻大于1012Ω。

2)交流參數  低頻跨導（互導）gm：反映了柵源電壓對漏極電流的控制才能，且與工作點(diǎn)有關(guān)，是轉移特性曲線(xiàn)上過(guò)Q點(diǎn)切線(xiàn)的斜率。

3)極限參數  最大漏—源電壓U（BR)DS:漏極左近發(fā)作雪崩擊穿時(shí)的UDs（漏源電壓）。  最大柵—源電壓U（BR)CS:柵極與源極間PN結的反向擊穿電壓。  最大耗散功率PDM:與晶體管的PcM類(lèi)似，當功率超越PDM時(shí)，場(chǎng)效應管可能燒壞。

場(chǎng)效應管的命名辦法

第一種命名辦法：與雙極型晶體管相同，其中第三位字母為J代表結型場(chǎng)效應管，為0代表絕緣柵場(chǎng)效應管；

第二位字母代表資料，其中D是P型硅，其反型層是N溝道，C是N型硅，其反型層是P溝道。例如，3DJ6D是結型N溝道場(chǎng)效應品體管，3D06C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應晶體管。第二種命名辦法：CS X x#，其中CS代表場(chǎng)效應管，xx是以數字代表型號的序號，#是用字母代表同一型號中的不同規格，如CS14A、CS45G等。

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