MOS器件退化簡(jiǎn)介及退化機(jī)理介紹-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-07-29
器件退化的含義：
也就是隨著應(yīng)力時(shí)間的推移，輸出電流下降，同時(shí)閾值電壓增加，至于Vg=Vd/2的含義，簡(jiǎn)單講，柵電壓時(shí)漏電壓一半的時(shí)候，襯底電流最大，同時(shí)漏端因?yàn)閵A斷點(diǎn)推移而出現(xiàn)的空間電荷區(qū)的場(chǎng)強(qiáng)最強(qiáng)，從而導(dǎo)致熱載流子最嚴(yán)重，所以器件最容易退化。
我們來(lái)對(duì)比一下器件退化與擊穿的差異：盡管沒(méi)有擊穿，但是器件也是性能發(fā)生了降低，也就是會(huì)影響器件的使用壽命。
器件壽命的定義：
器件退化的機(jī)理：如前所講，器件出現(xiàn)夾斷點(diǎn)時(shí)，也就是器件進(jìn)入飽和工作區(qū)時(shí)，漏端出現(xiàn)空間電荷區(qū)，從而出現(xiàn)熱載流子效應(yīng)。
產(chǎn)生機(jī)制：
需要注意以下幾點(diǎn)：
飽和狀態(tài)下空間電荷區(qū)位于柵下靠近漏端一側(cè)
靠近漏端的空間電荷區(qū)具有:
高電場(chǎng)
熱載流子
電離碰撞產(chǎn)生電子空穴對(duì)
熱載流子的產(chǎn)生是非均勻的
襯底電流：
熱載流子會(huì)產(chǎn)生的2種物理缺陷：氧化層缺陷和界面態(tài)缺陷。
熱載流子的物理描述：
界面態(tài)陷阱和氧化層陷阱的產(chǎn)生：
氧化層缺陷產(chǎn)生機(jī)理：
氫解析模型和兩種模型共同作用
氧化層電荷的電學(xué)影響：氧化層電荷增加，自然引起VT變化，這也是熱載流子效應(yīng)比較明顯的結(jié)果；如果VT變高，自然導(dǎo)致漏電降低。
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