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MOS管?KIA10N80H 800V10A規(guī)格參數(shù) 國產(chǎn)品牌 價格優(yōu)勢-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-07-22 

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MOS管KIA10N80H 800V10A規(guī)格參數(shù) 國產(chǎn)品牌 價格優(yōu)勢-KIA MOS管


MOS管KIA10N80H 800V10A規(guī)格參數(shù)-描述


這種功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這一先進(jìn)技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)上的電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并在雪崩和換相模式下經(jīng)受高能量脈沖。這些器件適用于高效開關(guān)電源、基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。


MOS管KIA10N80H 800V10A規(guī)格參數(shù)-特征

RDS(on)=0.85Ω @ VGS=10V

低柵電荷(典型63 nC)

高強(qiáng)度

快速開關(guān)能力

雪崩能量指定

改進(jìn)dv/dt能力

ESD改進(jìn)能力


MOS管KIA10N80H 800V10A規(guī)格參數(shù)-封裝圖


MOS管KIA10N80H 800V10A規(guī)格參數(shù)


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MOS管KIA10N80H 800V10A規(guī)格參數(shù)-電路圖


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