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650V10AMOS管 KNX6165A資料 原廠免費(fèi)送樣 -KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-07-13 

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650V10AMOS管 KNX6165A資料 原廠免費(fèi)送樣 -KIA MOS管


650V10AMOS管 KNX6165A資料-簡介

KNX6165A通道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是為高壓設(shè)計(jì)的。高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源,開關(guān)電源等。基于半橋拓?fù)涞墓β室驍?shù)校正電子燈鎮(zhèn)流器。


650V10AMOS管 KNX6165A資料-特點(diǎn)

1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V

2、符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)

3、低柵電荷最小開關(guān)損耗

4、快速恢復(fù)體二極管


650V10AMOS管 KNX6165A資料-參數(shù)

產(chǎn)品型號:KNX6165A

工作方式:10A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±20V

漏電流連續(xù):10A

脈沖漏極電流:40A

雪崩能量:800mJ

耗散功率:216W

熱電阻:62℃/W

漏源擊穿電壓:650V

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1554PF

輸出電容:153PF

上升時(shí)間:31ns


650V10AMOS管 KNX6165A資料-封裝

650V10AMOS管 KNX6165A資料


650V10AMOS管 KNX6165A資料



MOS管 KNX6165A規(guī)格書

查看規(guī)格書,請點(diǎn)擊下圖


650V10AMOS管 KNX6165A資料


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KIA本著“攜手客戶,創(chuàng)新設(shè)計(jì),共同提升,服務(wù)市場”的理念,期待在您的大力支持下,使KIA成為MOSFET器件領(lǐng)域的優(yōu)秀mos管品牌。

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