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650V7A MOS管資料 KIA7N65H參數(shù) 現(xiàn)貨直銷 專業(yè)制造-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-07-08 

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650V7A MOS管資料 KIA7N65H參數(shù)

描述


KIA7N65H-功率MOSFET是使用KIASMER先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這一先進(jìn)技術(shù)特別適合在雪崩和換流模式下最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并能承受高能量脈沖。


這些器件非常適合于高效率開關(guān)模式電源、基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。


650V7A MOS管資料 KIA7N65H參數(shù)-特征

RDS(on)=1.2? @ VGS=10V


低柵電荷(典型29 nC)

高強(qiáng)度

快速開關(guān)

100%雪崩測試

改進(jìn)的dv/dt能力


650V7A MOS管資料 KIA7N65H參數(shù)-封裝圖


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650V7A MOS管資料 KIA7N65H-電路圖


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