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場效應(yīng)管的微變等效電路分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-07-06 

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場效應(yīng)管的微變等效電路分析-KIA MOS管


場效應(yīng)管的微變等效電路

場效應(yīng)管的微變等效電路如圖所示。


場效應(yīng)管 微變等效電路


晶體管的微變等效電路

得到了晶體管的h參數(shù)后,就可以畫出晶體管的線性等效電路,圖z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。


場效應(yīng)管 微變等效電路


關(guān)于h參數(shù)等效電路,應(yīng)注意以下幾點:

(1)電壓的參考極性為上正下負,電流的參考正方向是流入為正;


(2)電路中出現(xiàn)了受控源。受控源的大小和極性均具有從屬性。在分析電路時,可以象獨立源一樣進行等效變換,但控制量不能丟失,在涉及獨立源取零值的處理中,不能對受控源進行開路或短路處理,只能視控制量而定。


(3)微變等效電路只適用于低頻小信號放大電路,只能用來計算交流分量,不能計算總的瞬時值和靜態(tài)工作點。


(4)晶體管的輸入電阻 rbe(hie)一般可用下列近似公式進行估算:


場效應(yīng)管 微變等效電路


式中 表示晶體管基區(qū)的體電阻,對一般小功率管約為300ω左右(計算時,若未給出,可取為300ω),ie為通過管于發(fā)射極的靜態(tài)電流,單位是ma。在ie≤5ma范圍內(nèi),式gs0220計算結(jié)果與實際測量值基本一致。



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