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500V13AMOS管 ?KNX6450A資料 現(xiàn)貨供應(yīng)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-06-17 

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500V13AMOS管 KNX6450A資料 現(xiàn)貨供應(yīng)-KIA MOS管


MOS管KNX6450A產(chǎn)品供應(yīng)商介紹

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。


500V13AMOS管 KNX6450A資料


500V13AMOS管 KNX6450A資料-產(chǎn)品描述

KNX6450a通道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET的高電壓設(shè)計(jì),高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。


500V13AMOS管 KNX6450A資料-產(chǎn)品特征

符合RoHS

RDS(ON),典型值= 0.40Ω@ VGS=10v

低門電荷最小化開關(guān)損耗


500V13AMOS管 KNX6450A資料-主要參數(shù)

產(chǎn)品型號:KNX6450A

工作方式:13A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):13A

脈沖漏極電流:52A

雪崩能量:900mJ

耗散功率:195W

熱電阻:62℃/W

漏源擊穿電壓:500V

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:2149PF

輸出電容:211PF

上升時間:24ns


MOS管KNX6450A封裝圖


500V13AMOS管 KNX6450A資料


500V13AMOS管 KNX6450A資料-附件

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500V13AMOS管 KNX6450A資料



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