大功率350V11A ?KIA6035A N溝道MOS管規(guī)格書 封裝-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-06-08
這款功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制作的。這個(gè)先進(jìn)的技術(shù)是為電阻最小轉(zhuǎn)態(tài)而特別定制的，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，它能承受雪崩和交流模式下的高能脈沖。這款設(shè)備非常適合于高效率的開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正基于半橋拓?fù)洹?/span>
RDS(ON)=0.38Ω(typ.)@VGS=10V.
低柵極充電（典型15nC）
耐用性高
快速切換能力
指定雪崩能量
改進(jìn)的dv/dt能力
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KIA半導(dǎo)體持續(xù)改進(jìn)，永不止步期待與您一起努力向市場(chǎng)提供，更高性價(jià)比產(chǎn)品，共同提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。
KIA從研發(fā)設(shè)計(jì)到制造封裝，再到倉儲(chǔ)和物流等擁有專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，讓客戶從一個(gè)想法變成成品，讓客戶產(chǎn)品亮點(diǎn)無限擴(kuò)大的一體化服務(wù)。
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