MOS管接法以及用法詳細(xì)分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-05-27
MOS管接法：圖中使用的是NMOS管，左邊的電路中，控制端為0V時(shí)MOS管關(guān)斷，S極的電平為0，當(dāng)G極給一定電壓U0時(shí)MOS管導(dǎo)通，這時(shí)候負(fù)載（R）有電流（I）通過，S極的電壓為U1 = R * I，
這時(shí)候G極和S極之間的壓差為U2=U0-U1，當(dāng)U2不能夠?qū)OS管完全導(dǎo)通時(shí)流過負(fù)載的電流就會降低，最后達(dá)到一個(gè)平衡狀態(tài)，這時(shí)候MOS管沒有完全導(dǎo)通，沒有完全發(fā)揮MOS管性能。
MOS管接法：在右圖當(dāng)中無論怎么樣G極和S極之間的壓差都是G極電壓U0，只要U0能夠?qū)OS管導(dǎo)通即可，不會出現(xiàn)左邊電路的情況。建議使用右邊的MOS管驅(qū)動(dòng)電路。
（1）PMOS，適合源極接VCC漏極接負(fù)載到GND的情況。只要柵極電壓低于源極電壓（此處為VCC）超過Vth（即Vgs超過-Vth），PMOS即可開始導(dǎo)通。
柵極用低電平驅(qū)動(dòng)PMOS導(dǎo)通（高電平時(shí)不導(dǎo)通）；柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計(jì)是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時(shí)，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。
（2）NMOS，適合源極接GND漏極接負(fù)載到VCC的情況。只要柵極電壓高于源極電壓（此處為GND）超過Vth（即Vgs超過Vth），NMOS即可開始導(dǎo)通。
柵極用高電平驅(qū)動(dòng)NMOS導(dǎo)通（低電平時(shí)不導(dǎo)通）；柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計(jì)是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時(shí)，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止。
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