絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管分析圖解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-05-20
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來(lái)控制漏極電流的器件，它的柵極與半導(dǎo)體之間是絕緣的，其電阻大于1000000000Ω。
增強(qiáng)型：VGS=0時(shí)，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下無(wú)iD。耗盡型：VGS=0時(shí)，漏源之間有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下iD。
1. 結(jié)構(gòu)和符號(hào)（以N溝道增強(qiáng)型為例）
在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。
1、柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣，它們之間的電阻無(wú)限大；
2、沒有外加電壓時(shí)漏極與源極之間不導(dǎo)通；增強(qiáng)型NMOS管是以P型硅片作為基片（又稱襯底），漏極連接的為N半導(dǎo)體，襯底與源極連在一起，故P型襯底與漏極N型半導(dǎo)體會(huì)形成二極管，稱為寄生二極管；因此漏極和源極之間的反向電阻很小。
增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管工作原理：在柵極與源極之間加上正向電壓后，達(dá)到一定值后就會(huì)形成導(dǎo)電溝道，改變電壓就改變了導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電能力。
1、柵極與漏極、源極絕緣，它們之間的電阻無(wú)限大；
2、漏極與源極之間能夠?qū)ǎ瑴系涝谥圃鞎r(shí)就已形成；在柵極與源極之間加上反向向電壓后，改變電壓就改變了導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電能力。
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