場(chǎng)效應管的特性以及有哪些特點(diǎn)？-KIA MOS管

場(chǎng)效應管的特性

下面以N溝道結型場(chǎng)效應管為例說(shuō)明場(chǎng)效應管的特性。

圖1.1為場(chǎng)效應管的漏極特性曲線(xiàn)。輸出特性曲線(xiàn)分為三個(gè)區：可變電阻區、恒流區和擊穿區。

場(chǎng)效應管特性特點(diǎn)

（ 1）可變電阻區：圖中VDS很小，曲線(xiàn)靠近左邊。它表示管子預夾斷前電壓.電流關(guān)系是：當VDS較小時(shí)，由于VDS的變化對溝道大小影響不大，溝道電阻基本為一常數，ID基本隨VGS作線(xiàn)性變化。

當VGS恒定時(shí)，溝道導通電阻近似為一常數，從此意義上說(shuō)，該區域為恒定電阻區，當VGS變化時(shí)，溝道導通電阻的值將隨VGS變化而變化，因此該區域又可稱(chēng)為可變電阻區。利用這一特點(diǎn)，可用場(chǎng)效應管作為可變電阻器。

（2）恒流區:圖中VDS較大,曲線(xiàn)近似水平的部分是恒流區,它表示管子預夾斷后電壓.電流的關(guān)系,即圖1.1兩條虛線(xiàn)之間即為恒流區(或稱(chēng)為飽和區)該區的特點(diǎn)是ID的大小受VGS可控, 當VDS改變時(shí)ID幾乎不變，場(chǎng)效應管作為放大器使用時(shí)，一般工作在此區域內。

（3）擊穿區：當VDS增加到某一臨界值時(shí)，ID開(kāi)始迅速增大, 曲線(xiàn)上翹, 場(chǎng)效應管不能正常工作,甚至燒毀，場(chǎng)效應管工作時(shí)要避免進(jìn)入此區間。

（4）場(chǎng)效應管特性曲線(xiàn)的測試

場(chǎng)效應管特性特點(diǎn)

場(chǎng)效應管的特性曲線(xiàn)可以用晶體管圖示儀測試，也可以用逐點(diǎn)測量法測試。圖1.2是用逐點(diǎn)測量法測試場(chǎng)效應管特性曲線(xiàn)的原理圖。場(chǎng)效應管的轉移特性曲線(xiàn)是當漏源間電壓VDS保持不變，柵源間電壓VGS與漏極電流ID的關(guān)系曲線(xiàn)，如圖1.3所示：

場(chǎng)效應管特性特點(diǎn)

在上圖中，先調節VDD使VDS固定在某個(gè)數值上，當柵源電壓VGS取不同的電壓值時(shí)（調節RW），ID也將隨之改變，利用測得的數據，便可在VGS～ID直角坐標系上畫(huà)出如圖3.2.3的轉移特性曲線(xiàn)。

當VDS取不同的數值，便可得到另一條特性曲線(xiàn)。ID=0時(shí)的VGS值為場(chǎng)效應管的夾斷電壓VP,VGS=0時(shí)的ID值為場(chǎng)效應管的飽和漏極電流IDSS。

場(chǎng)效應管特性特點(diǎn)

漏極特性曲線(xiàn)是當柵源間電壓VGS保持不變時(shí)，漏極電流ID與漏源間電壓VDS的關(guān)系曲線(xiàn)，當VDS取不同的數值時(shí)便可測出與之對應的ID值，對于不同的VGS可以測得多條漏極特性曲線(xiàn)。

晶體管是電流控制器件，作放大器件用時(shí)，發(fā)射結必須正偏。場(chǎng)效應管是電壓控制器件，N溝道結型場(chǎng)效應管工作時(shí)G、S間必須加反向偏置電壓。

場(chǎng)效應管的特點(diǎn)

1.場(chǎng)效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流,應此對于信號源額定電流極小的情況下，常選用場(chǎng)效應管。

2.場(chǎng)效應管是多子導電,晶體管是兩種載流子參與導電。但少子受環(huán)境影響明顯。

3.場(chǎng)效應管FET和晶體管BJT一樣具有放大作用，而且這兩種放大元件間存在著(zhù)電極對應關(guān)系G-b，S-e，D-c。因此根據BJT電路，即可得到與之對應的FET放大電路。但不能簡(jiǎn)單地加以替換，否則有時(shí)電路不能正常工作。場(chǎng)效應除作放大器件及可控開(kāi)關(guān)外還可作壓控可變線(xiàn)性電阻使用。

4.場(chǎng)效應管S極和D極是對稱(chēng)的，可以互換使用，耗盡型MOS管柵源電壓可正可負使用比晶體三極管靈活。

5.場(chǎng)效應管組成放大電路時(shí)與晶體管一樣，必須選擇合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，柵極必須有合適的偏壓，但不出現偏流，對不同類(lèi)型場(chǎng)效應管對偏壓的極性要求不同，特列如下：

場(chǎng)效應管特性特點(diǎn)