HY1906替代MOS管 KNX3308A規格參數封裝?詳解-KIAMOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2021-05-13
國產(chǎn)MOS管KNX3308A和HY1906兩個(gè)產(chǎn)品的主要參數、封裝、應用領(lǐng)域等產(chǎn)品信息詳細介紹。KIA半導體是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈,真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場(chǎng)效應管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個(gè)目標,KIA半導體正在持續創(chuàng )新,永不止步!
RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V
提供無(wú)鉛環(huán)保設備
降低導電損耗的低RD值
高雪崩電流
MOS管 KNX3308A應用領(lǐng)域
電力供應
直流變換器
型號:KNX3308A
電流:80A
電壓:80V
漏源極電壓:80V
柵源電壓:±25
脈沖漏電流:340A
雪崩電流:20A
雪崩能源:410MJ
查看規格書(shū),請點(diǎn)擊下圖。
RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V
雪崩測試100%
型號:HY1906
參數:60V/70A
漏源電壓:60V
柵源電壓:±25V
源電流連續:70A
脈沖漏電流:260A
連續漏電流 Tc=25℃:70A
連續漏電流 Tc=100℃:49.5A
單脈沖雪崩能量286.6MJ
漏源擊穿電壓:60V
輸入電容:4620PF
輸出電容:410PF
反向傳輸電容:360PF
查看及下載規格書(shū),請點(diǎn)擊下圖。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助