KNX3706A 60V50A? N溝道MOSFET,免費送樣 技術(shù)支持-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2021-04-30
KIA半導體的KNX3706A產(chǎn)品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET,它提供了優(yōu)良的RDS(ON)和大多數同步降壓變換器應用的柵極電荷。KNX3706A滿(mǎn)足RoHS和綠色產(chǎn)品的要求,100%EAS保證功能的可靠性得到認可。
RDS(ON),typ.=9mΩ@VGS=10V
氮氣保護
超低柵極電荷
最佳Cdv/dt效應衰減
高級高密度槽技術(shù)
電流:50A
電壓:60V
漏源極電壓:60V
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:100A
單脈沖雪崩能:72.2MJ
雪崩電流:38A
接頭和儲存溫度范圍:-55℃至150℃
總功耗:42W
漏源擊穿電壓:60V
輸入電容:3220pF
輸出電容:210pF
反向轉移電容:145pF
連續源電流:50A
脈沖源電流:100A
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