MOS管耐壓特性以及對柵極電荷的影響-KIA MOS管

MOS管耐壓、柵極電荷影響

功率比較小的單管變換器的主開(kāi)關(guān)通常采用MOS管，其優(yōu)點(diǎn)是電壓型控制，驅動(dòng)功率低，低電壓器件中MOS管的導通壓降和開(kāi)關(guān)速度是最佳的。

測試耐壓用示波器的高壓探頭測試。具體測試MOS的D-S（漏極接+，源極接GND），把示波器調到直流檔，看最大值和峰峰值（這兩者中的最大值需滿(mǎn)足要求）。

MOS管的耐壓對導通電阻的影響：MOS管的耐壓水平由芯片的電阻率和厚度決定，而MOS管是多數載流子導電器件，芯片電阻率直接影響器件的導通電阻。

通常MOS管的導通電阻隨耐壓的2.4~2.6次方增加。如1000V耐壓是30V耐壓的33.3倍，而同樣大的芯片的導通電阻將變成33.3^(2.4~2.6)，大約為6400倍！

如果還想保持導通電阻的基本不變就需要更大的管芯面積，這樣不僅增加了封裝尺寸，而且價(jià)格也將明顯上升。

如TO-220封裝的耐壓為400V的IRF740型MOS管的導通電阻為0.55歐，而導通電阻相近的耐壓為500V的IRF450型MOS管（導通電阻為0.4歐）則需要TO-247封裝。耐壓僅僅相差100V，封裝尺寸增加近1倍。

同樣以TO-220封裝的IRF系列MOS管為例，IRF640、IRF740、IRF840、IRFBC40的耐壓分別為200V、400V、500V、600V，導通電阻為0.18歐、0.55歐、0.8歐、1.2歐；25度時(shí)的額定電流為28A、18A、10A、8A、6.2A。由此可見(jiàn)耐壓對導通電阻的影響是很大的。

開(kāi)關(guān)變換器中MOS管的開(kāi)關(guān)速度實(shí)際上是受驅動(dòng)電路的驅動(dòng)能力影響，很少會(huì )因驅動(dòng)電路的驅動(dòng)能力過(guò)剩而MOS管的速度或自身特性限制了開(kāi)關(guān)速度。

MOS管耐壓

MOS管的電荷量是影響開(kāi)關(guān)速度的最主要因素。例如100nC的柵極電荷用100mA的電流將其充滿(mǎn)或放盡，需要的時(shí)間為1us，而30nC的電荷則僅需要300ns的時(shí)間。

或者是在相同的驅動(dòng)時(shí)間，則驅動(dòng)電流可以下降為30mA。實(shí)際上決定MOS管的開(kāi)關(guān)速度的因素是柵-漏電荷（Qgd），也就是MOS管從導通轉換到關(guān)斷或從關(guān)斷轉換到導通過(guò)程中越過(guò)“放大區”所需要的電荷“米勒電荷”。

以IRF740系列的MOS管為例，740:32nC;740A:16nC。可以看到即使同一型號，經(jīng)過(guò)改進(jìn)后柵極電荷可以減小。

但是如果不是一代的MOS管，則柵極電荷較小的更明顯，以IRFP450和ST公司的STW14N50相比，結果是前者的柵極電荷75nC,而后者則為28nC,幾乎是1/3。

MOS管耐壓