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如何挑選高頻電源MOS管?-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-04-21 

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如何挑選高頻電源MOS管?-KIA MOS管


高頻電源MOS管

MOS管最常見(jiàn)的應用可能是高頻開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)元件,此外,它們對電源輸出也大有裨益。服務(wù)器和通信設備等應用一般都配置有多個(gè)并行電源,以支持N+1冗余與持續工作。各并行高頻開(kāi)關(guān)電源平均分擔負載,確保系統即使在一個(gè)電源出現故障的情況下仍然能夠繼續工作。


不過(guò),這種架構還需要一種方法把并行電源的輸出連接在一起,并保證某個(gè)電源的故障不會(huì )影響到其它的電源。在每個(gè)電源的輸出端,有一個(gè)功率MOS管可以讓眾電源分擔負載,同時(shí)各電源又彼此隔離。


起這種作用的MOS管被稱(chēng)為"ORing"FET,因為它們本質(zhì)上是以"OR"邏輯來(lái)連接多個(gè)電源的輸出。


用于針對N+1冗余拓撲的并行高頻開(kāi)關(guān)電源控制的MOS管。


在ORingFET應用中,MOS管的作用是開(kāi)關(guān)器件,但是由于服務(wù)器類(lèi)應用中電源不間斷工作,這個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)際上始終處于導通狀態(tài)。其開(kāi)關(guān)功能只發(fā)揮在啟動(dòng)和關(guān)斷,以及電源出現故障之時(shí)。


相比從事以開(kāi)關(guān)為核心應用的設計人員,ORingFET應用設計人員顯然必需關(guān)注MOS管的不同特性。以服務(wù)器為例,在正常工作期間,MOS管只相當于一個(gè)導體。因此,ORingFET應用設計人員最關(guān)心的是最小傳導損耗。


低RDS(ON)可把BOM及PCB尺寸降至最小。


一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON)參數來(lái)定義導通阻抗;對ORingFET應用來(lái)說(shuō),RDS(ON)也是最重要的器件特性。


數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān),但對于充分的柵極驅動(dòng),RDS(ON)是一個(gè)相對靜態(tài)參數。


若設計人員試圖開(kāi)發(fā)尺寸最小、成本最低的電源,低導通阻抗更是加倍的重要。


在電源設計中,每個(gè)電源常常需要多個(gè)ORingMOS管并行工作,需要多個(gè)器件來(lái)把電流傳送給負載。在許多情況下,設計人員必須并聯(lián)MOS管,以有效降低RDS(ON)。


需謹記,在DC電路中,并聯(lián)電阻性負載的等效阻抗小于每個(gè)負載單獨的阻抗值。比如,兩個(gè)并聯(lián)的2Ω電阻相當于一個(gè)1Ω的電阻。因此,一般來(lái)說(shuō),一個(gè)低RDS(ON)值的MOS管,具備大額定電流,就可以讓設計人員把電源中所用MOS管的數目減至最少。


除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數也對電源設計人員非常重要。許多情況下,設計人員應該密切關(guān)注數據手冊上的安全工作區(SOA)曲線(xiàn),該曲線(xiàn)同時(shí)描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系。


基本上,SOA定義了MOS管能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORingFET應用中,首要問(wèn)題是:在"完全導通狀態(tài)"下FET的電流傳送能力。實(shí)際上無(wú)需SOA曲線(xiàn)也可以獲得漏極電流值。


高頻 電源 MOS管


若設計是實(shí)現熱插拔功能,SOA曲線(xiàn)也許更能發(fā)揮作用。在這種情況下,MOS管需要部分導通工作。SOA曲線(xiàn)定義了不同脈沖期間的電流和電壓限值。


注意剛剛提到的額定電流,這也是值得考慮的熱參數,因為始終導通的MOS管很容易發(fā)熱。


另外,日漸升高的結溫也會(huì )導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數,其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡(jiǎn)單的定義是結到管殼的熱阻抗。


細言之,在實(shí)際測量中其代表從器件結(對于一個(gè)垂直MOS管,即裸片的上表面附近)到封裝外表面的熱阻抗,在數據手冊中有描述。若采用PowerQFN封裝,管殼定義為這個(gè)大漏極片的中心。


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因此,RθJC定義了裸片與封裝系統的熱效應。RθJA定義了從裸片表面到周?chē)h(huán)境的熱阻抗,而且一般通過(guò)一個(gè)腳注來(lái)標明與PCB設計的關(guān)系,包括鍍銅的層數和厚度。


開(kāi)關(guān)電源中的MOS管

現在讓我們考慮開(kāi)關(guān)電源應用,以及這種應用如何需要從一個(gè)不同的角度來(lái)審視數據手冊。


從定義上而言,這種應用需要MOS管定期導通和關(guān)斷。同時(shí),有數十種拓撲可用于開(kāi)關(guān)電源,這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。


DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴(lài)兩個(gè)MOS管來(lái)執行開(kāi)關(guān)功能(圖),這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負載。目前,設計人員常常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率,因為頻率越高,磁性元件可以更小更輕。


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