三相全橋MOS管驅動(dòng)電路調試記錄-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-04-15
未接入全橋時(shí)，電流轉電壓測量波形包含噪聲，周期約為17us左右，幅值為120mV左右，振蕩周期約為1.3us左右，如下圖所示。
經(jīng)過(guò)運放放大10倍后的波形中噪聲減弱，猜測是因為運放內部的頻帶限制使高頻噪聲衰減，同時(shí)猜測該高頻噪聲來(lái)自于開(kāi)關(guān)電源。
接入MOS管并且加入24V電壓后，IR2136的輸出驅動(dòng)電壓如圖所示：
測試程序：A相的上下MOS管以10ms導通時(shí)間交替導通；B相與C相都鎖定不導通。
低端MOS管如圖黃色通道1所示，導通完全正常；可是高端MOS管在導通接近2ms后就直接關(guān)閉，目前原因尚不清楚。
與上圖對應的A相橋臂輸出波形如圖所示：
可見(jiàn)高端MOS管的導通與上圖的驅動(dòng)波形相對應。
后續任務(wù)：
閱讀IR2136芯片數據手冊，弄清自舉驅動(dòng)芯片的具體工作原理，并弄清楚導通時(shí)間的受影響因素。
增加測試：減小交替導通時(shí)間為2ms左右，觀(guān)察MOS管橋臂的導通情況。
可能是因為自舉電容充電時(shí)增加了限流電阻
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
