MOSFET的FT，如何定義？FT計算-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-04-14
在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱(chēng)為：“transit frequency”(fT)
FT計算
MOS的小信號模型如下：
輸入電流Iin(ω):
(1)
輸出電流Iout(ω):
(2)
電流增益:
(3)
低頻時(shí),gm>>ωCgs
(4)
高頻時(shí),gm<<ωCgs
(5)
我們讓(4)式等于1,可以求出ωt (注: FT=ωt/2π)
(6)
根據gm表達式, 用Vgs替換掉式(6)中的gm
(7)
把(7)帶入(6)得到:
(8)
影響因素
根據式(8),可以知道–增大Vgs可以增大FT–減小溝道L會(huì )增大FT
進(jìn)一步說(shuō): 根據式(6)
–增大偏置電流可以增大FT(FT:∝電流的平方根）
–當偏置電流恒定，減小溝道的L可以增大FT[FT∝L^(-3/2)]
注意
–FT不受S端和D端結電容的影響。
–FT不受RG的影響，且仍等于上面(6)給出的值。
PS: 小尺寸MOS管FT筆記
FT隨過(guò)驅動(dòng)而增加，但隨著(zhù)垂直電場(chǎng)減小了遷移率變而平。下面繪制的是NMOS器件的fT，其中W / L = 5μm/ 40 nm VDS = 0.8 V.
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