MOS管開(kāi)關(guān)波形過(guò)沖、電源紋波、電源隔離怎么測？

開(kāi)關(guān)波形過(guò)沖、電源紋波、電源隔離

在設計一臺電源的時(shí)候，經(jīng)常會(huì )遇到比如內部的MOS管的開(kāi)關(guān)波形該如何去測試？

其實(shí)MOS管的開(kāi)關(guān)波形來(lái)講的話(huà)，一般我們需要考慮它的過(guò)沖，一般來(lái)講的話(huà)前面會(huì )加一個(gè)電阻來(lái)進(jìn)行一個(gè)設置。

那這種情況下的話(huà)我們不希望他的過(guò)沖太高，一般來(lái)講不能高于MOS管波形50%，那這樣的話(huà)我們可能會(huì )通過(guò)用示波器來(lái)進(jìn)行一個(gè)設置觸發(fā)之后來(lái)看波形的過(guò)沖到底有多大。

我們在設計電源過(guò)程中有很多的參數要去體現，比如說(shuō)負載調整率或者是電源紋波，還有電源效率，包括THD這些參數，這些參數其實(shí)在測試的過(guò)程中有沒(méi)有什么更高效的方法，來(lái)幫助大家呢？

接下來(lái)為大家介紹一下紋波的測試方法。一般來(lái)說(shuō)我們電源的輸出的話(huà)我們都要對紋波進(jìn)行一些實(shí)測，首先要考慮的問(wèn)題是如何在直流上面疊加的紋波可被直接測到。

通常做法是直接把波形展開(kāi)，把波形放到屏幕中間進(jìn)行展開(kāi)測試。但這種方法的話(huà)效率比較低，而且當示波器偏置沒(méi)法達到要求的話(huà)，沒(méi)法對我們的上面的信號進(jìn)行實(shí)測。

那可以使用的方法是使用交流耦合的方式直接把（輸出端）直流（信號）進(jìn)行隔離，然后我們再直接把檔位擴展。像這個(gè)波形而言的話(huà)，我們上面有疊加一個(gè)三角波，那我們就可以直接對波形進(jìn)行一些測試，看它實(shí)際的紋波大小是多少。可以看到這就是（本次模擬的）紋波情況。

MOS管開(kāi)關(guān)波形電源紋波

此外我們可以直接從屏幕里面直接添加讀數。點(diǎn)擊峰值測試，我們可以得到紋波值大小。一般來(lái)講紋波從幾毫伏到幾十毫伏不等，這個(gè)紋波我們疊加了大概是一個(gè)兩毫伏的紋波。

如果對于這種（低幅值）波形來(lái)講，示波器底噪對波形會(huì )有影響的話(huà)，我們可以把示波器本底噪聲進(jìn)行部分濾除。

我們可以打開(kāi)本身示波器帶寬限制，那這樣的話(huà)我們可以進(jìn)一步縮小本身示波器本底噪聲造成的影響，這樣我們就能夠對實(shí)測的結果更加精準。

其次的話(huà)如果還想進(jìn)一步濾除噪聲的話(huà)就使用高分率模式。一般紋波的使用的話(huà)不太推薦高分率來(lái)進(jìn)行一個(gè)波形的實(shí)測，所以這就是紋波的一個(gè)基本操作。

首先第一步用我們用交流耦合的方式把直流進(jìn)行隔離，第二的話(huà)打開(kāi)我們的單位限制，然后其次的話(huà)對我們波形進(jìn)行整體的實(shí)測，建議波形盡可能占整個(gè)屏幕的2/3或者1/2以上，這樣的話(huà)整個(gè)波形的實(shí)測的結果會(huì )更加的精準，這就是我們整個(gè)紋波的測試的過(guò)程。

從單路電源到雙路電源，涉及到一個(gè)并聯(lián)的問(wèn)題，那并聯(lián)的時(shí)候我們就會(huì )遇到隔離，可能會(huì )因為沒(méi)有做隔離會(huì )出現炸機或者是把臺式電源給炸掉，那么這部分有沒(méi)有什么好的解決辦法？

比較推薦的方式是，最好的（測試方式）要不就用隔離的示波器測，要不就是用隔離的探頭，用示波器隔離的高壓差分探頭來(lái)進(jìn)行實(shí)測。這樣的話(huà)信號本身在輸入示波器之前的話(huà)就已經(jīng)進(jìn)行了隔離的處理，這樣的話(huà)就不會(huì )造成太大的問(wèn)題。

比如說(shuō)這個(gè)就是一個(gè)高壓差分探頭。它本身來(lái)講的話(huà)可以有多個(gè)檔位可選，最低的檔位可以從一百乘就是一百倍衰減，到最高的話(huà)一千倍衰減，可測的電壓范圍從幾百伏到幾千伏不等。

我們現在用一百伏的就是一百倍衰減的檔位來(lái)進(jìn)行實(shí)際的測試。我們接到校準信號來(lái)進(jìn)行實(shí)測，這樣的話(huà)會(huì )看到本身的校準信號的波形，呈現這樣的一個(gè)方波的形狀。

對于這種測試而言的話(huà)，如果用隔離探頭，我們就不用擔心對于實(shí)際的電源電路里面的測試會(huì )造成影響。因為電壓經(jīng)過(guò)探頭已經(jīng)進(jìn)行了隔離，使整個(gè)機械裸露金屬部分的話(huà)都不會(huì )帶電，這樣測試就會(huì )比較安全。

我們用本身的信號源來(lái)進(jìn)行一個(gè)模擬的雙通道MOS管波形的演示，如果用這樣的一個(gè)波形來(lái)進(jìn)行演示的話(huà)，可以看到在于我們實(shí)際時(shí)間的話(huà)，實(shí)際上就是兩個(gè)波形之間的一個(gè)交替點(diǎn)。

在這個(gè)交替點(diǎn)，如果我們通道之間的延時(shí)沒(méi)有進(jìn)行調整的話(huà)，本身通道之間的延時(shí)就可能會(huì )有偏差，造成實(shí)際時(shí)間可能實(shí)測出來(lái)會(huì )有誤差，這樣的話(huà)整個(gè)實(shí)際時(shí)間測試可能會(huì )偏大或者偏小。

這樣的話(huà)也不太合適，所以我們本身在通道之間電流和電壓直接通道或兩通道之間的話(huà)，一定要進(jìn)行一個(gè)延時(shí)的校正來(lái)保證我們測試的過(guò)程中對于實(shí)際時(shí)間測試的準確性。這就是我們對開(kāi)關(guān)電源里面過(guò)程中測試要求點(diǎn)。

MOS管開(kāi)關(guān)波形電源紋波