場(chǎng)效應管與晶閘管有什么不同？-KIA MOS管

場(chǎng)效應管和晶閘管區別

關(guān)于這兩個(gè)電子器件在很多電路中都會(huì )遇到，比如場(chǎng)效應管可以作為電磁爐中的開(kāi)關(guān)振蕩管、電瓶車(chē)充電器電路中作為開(kāi)關(guān)管使用，場(chǎng)效應管尤其在電腦主板中用的比較多；

對于晶閘管，俗稱(chēng)可控硅，晶閘管用的也非常多，比如在一些調速風(fēng)扇的電路中就能夠見(jiàn)到可控硅、在智能調光電路中也是用的可控硅和在洗衣機電路中都可以用到可控硅，下面來(lái)看看這兩個(gè)器件有何區別。

一、場(chǎng)效應管與晶閘管的控制方式不同

1、場(chǎng)效應管

隨著(zhù)電子技術(shù)不斷進(jìn)步，場(chǎng)效應管的種類(lèi)有好幾種，最常見(jiàn)的有結型場(chǎng)效應管（FET管）和金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET管）這兩類(lèi)。

這兩類(lèi)場(chǎng)效應管都有一個(gè)共同的特點(diǎn)，它們都是利用半導體內的電場(chǎng)效應來(lái)控制場(chǎng)效應管電流大小的，下面用金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管，也就是俗稱(chēng)的MOS管來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題。

比如下圖的N溝道場(chǎng)效應管，當柵極與源極間的Ugs電壓大于一定值時(shí)，并且Uds大于零，這時(shí)Rds的等效電阻非常小，就可以有較大的電流由漏極流向源極，它們之間就好像用一根導線(xiàn)連起來(lái)一樣。

2、晶閘管

晶閘管，它是一個(gè)功率半導體器件，是在二極管的基礎上發(fā)展起來(lái)的，可用于整流半導體器件。

下面說(shuō)說(shuō)如何控制它的通斷，要使晶閘管導通要滿(mǎn)足兩個(gè)條件，第一個(gè)是要給晶閘管的控制極G加一個(gè)觸發(fā)信號，也就是在門(mén)極G和晶閘管的陰極K之間加一個(gè)足夠大的正向電流與電壓，同時(shí)呢晶閘管的陽(yáng)極要高于陰極，這樣陽(yáng)極A與陰極K之間的等效電阻就非常小了，就像用導線(xiàn)連接起來(lái)一樣。

當要關(guān)斷晶閘管時(shí)，只要把陽(yáng)極A與陰極K之間的電流減小到一定值的時(shí)候，這個(gè)晶閘管的陽(yáng)極A與陰極K之間就像斷開(kāi)一樣，無(wú)法有電流通過(guò)。或者把晶閘管的陽(yáng)極A的電壓低于陰極K的電壓也可以關(guān)斷這個(gè)晶閘管。

通過(guò)上面的分析我們可以知道，場(chǎng)效應管與晶閘管的控制方式是不同的，場(chǎng)效應管是電壓控制其通斷的半導體器件，我們稱(chēng)它是壓控型器件；

晶閘管的控制方式是由一定的電流值來(lái)觸發(fā)晶閘管的導通，我們俗稱(chēng)它是流控型器件而且它是一個(gè)半控型半導體器件，也就是說(shuō)晶閘管的門(mén)控極G只能控制晶閘管的導通而不能控制晶閘管的關(guān)斷。

二、場(chǎng)效應管與晶閘管的輸入電阻不同

場(chǎng)效應管的直流等效輸入電阻非常高，其阻值可以達到10九次方歐姆，對于MOSFET管來(lái)說(shuō)最高可以達到10十五次方歐姆，鑒于這樣的特點(diǎn)來(lái)說(shuō)由場(chǎng)效應管組成的電路功耗都比較小、它的穩定性和抗干擾能力都很強，所以現在很多集成芯片中都采用的是場(chǎng)效應管組成的集成電路，有的工作電壓可以低到2V以下。

而對與晶閘管組成的電路來(lái)說(shuō)在輸入直流等效電阻方面它比較低、這樣就決定了它的功耗非常大，抗干擾能力遠不如場(chǎng)效應管，這也就說(shuō)明了晶閘管組成的電路它的穩定性也不如場(chǎng)效應管。

三、場(chǎng)效應管與晶閘管的作用不同

從它們的組成結構可以看出，對于場(chǎng)效應管來(lái)說(shuō)它可以放大信號，因此可以用在放大電路中作為放大器來(lái)用，也可以作為高速電子開(kāi)關(guān)控制負載的通斷，比如開(kāi)關(guān)電源中的場(chǎng)效應管就起到這個(gè)功能，同時(shí)運用場(chǎng)效應管還可以實(shí)現調速控制，比如PWN波的調制輸出、令外在調光電路、調溫電路等都可以用到。

從晶閘管的工作過(guò)程來(lái)看它不能用來(lái)放大電路的信號，因此它是不可以作為器放大器來(lái)使用的。一般晶閘管用在整流電路和控制大負載電路中。當它作為電子開(kāi)關(guān)使用時(shí)，其工作頻率也沒(méi)有場(chǎng)效應管高，一般只能用在低速控制的場(chǎng)合。

四、場(chǎng)效應管與晶閘管的集成度不同

從場(chǎng)效應管的結構可以看出它的結構相對來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，尤其在制造工藝上要比晶閘管簡(jiǎn)單許多，再加上其功耗小，噪聲低同時(shí)熱穩定性也很好，抗輻射能力也強。

對于集眾多優(yōu)點(diǎn)于一身的它在大規模和超大規模的集成電路中都會(huì )被用到，對于晶閘管來(lái)說(shuō)就無(wú)法做到這一點(diǎn)。

五、場(chǎng)效應管與晶閘管的“短板”不一樣

場(chǎng)效應管在平時(shí)儲存保管的時(shí)候對靜電要求非常高，由于MOS管的輸入阻抗非常高，在MOS管不使用的時(shí)候一定要將柵極G、源極S和漏極D這三個(gè)電極短接在一起，這樣可以防止場(chǎng)效應管因靜電場(chǎng)的電壓較高使場(chǎng)效應管損壞。

所以場(chǎng)效應管的弱點(diǎn)是對靜電的要求比較嚴格。因此我們在焊接場(chǎng)效應管時(shí)所使用的電烙鐵要有外接地線(xiàn)，這樣可以屏蔽掉交流電場(chǎng)，防止場(chǎng)效應管遭到損壞；

當焊接場(chǎng)效應管時(shí)，特別是MOSFET管時(shí)，都是先把烙鐵的電源斷掉，然后用烙鐵的余熱去焊接場(chǎng)效應管。而對于晶閘管來(lái)說(shuō)，它的“軟肋”是過(guò)電流的能力比較差，在組成電路時(shí)要設計很多的保護環(huán)節，使用相對比較麻煩。

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